Транзисторы - виды маркировки.

Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.

У транзисторов,разработанных до 1964 года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов. Первый элемент обозначения - буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами - МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения - одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты. От 1 до 99 - германиевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 101 до 199 - кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 201 до 299 - германиевые мощные низкочастотные транзисторы. От 301 до 399 - кремниевые мощные низкочастотные транзисторы. От 401 до 499 - германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы. От 501 до 599 - кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы. От 601 до 699 - германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы. От 701 до 799 - кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы. Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии. Например: МП42 - транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки - 42 П401 - транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки - 1.

Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года. Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных полупроводниковых приборов, в частности - полевых транзисторов. Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения): Буква Г или цифра 1 - германий. Буква К или цифра 2 - кремний. Буква А или цифра 3 - арсенид галлия. Второй элемент - буква Т, означает биполярный транзистор, буква П - транзистор полевый. В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты. 1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц). 2 - транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц). 3 - транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные. 4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц). 5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц). 6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ. 7 - транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц). 8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц). 9 - транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ. Четвертый и пятый элементы обозначения - определяют порядковый номер разработки. Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор, маломощный, высокочастотный,подкласс А. С 1978 года были введены изменения, первые два символа обозначающие материал и подкласс транзистора остались преждними. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей - третьего элемента. Для биполярных транзисторов: 1 - транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц. 2- транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц. 4 - транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц. 7 - транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц. 8 - транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц. 9 - транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов. Для обозначения порядкового номера разработки используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака). Для дополнительной классификации используют буквы русского алфавита, от А до Я. Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента - обозначения модификаций бескорпусных транзисторов: 1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя. 2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе. 3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя. 4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе. 5 - с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. 6 - с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов. Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения, маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе. В общем, - без хорошего каталога не разберешься.

Цветовая маркировка отечественных транзисторов.

Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.

В соответствии с европейской системой классификации обозначение транзистора состоит из двух букв и трех цифр (приборы общего применения) или трех букв и двух цифр(приборы специального применения). Первая буква характеризует материал, из которого сделан транзистор: А-германий; В- кремний. Вторая буква обозначает область применения прибора: С-маломощный низкочастотный прибор; D-мощный низкочастотный прибор;F- маломощный высокочастотный прибор; L-мощный высокочастотный прибор. Третья буква(если она есть) не несет особой смысловой нагрузки. Например: транзистор AF115 - общего назначения, германиевый,маломощный, высокочастотный. Транзистор BD135 - общего назначения, большой мощности, низкочастотный.

На рисунке ниже - виды корпусов импортных транзисторов.

Маркировка транзисторов по системе JEDEC (США)

Первый элемент - означает число PN - переходов: 2 - транзистор Второй элемент - буква "N" (типономинал). Третий элемент - цифры (серийный номер). Четвертый элемент - буква, указывающая на возможные изменения параметров (характеристик) прибора в пределах одного типономинала по EIA. Если корпус транзистора или другого полупроводникового прибора мал, то в сокращенной маркировке первая цифра и буква "N" - не ставятся.

Маркировка SMD транзисторов.

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".