О ПРЕДПРИЯТИИ АО ВЗПП-С Завод обладает технологиями Основная серийно-выпускаемая продукция

1 О ПРЕДПРИЯТИИ АО ВЗПП-С является одним из крупнейших поставщиков элементной базы для предприятий изготовителей радиоэлектронной продукции, средств связи и важнейшей аппаратуры специального назначения, а продукция используется в более чем 700 предприятиях России и стран ближнего зарубежья. Завод обладает технологиями: технологией сборочного производства интегральных микросхем в металлокерамических корпусах (14, 16, 20, 24, 48, 64, 240, 256 выводов); технологией сборочного производства интегральных микросхем в пластмассовых корпусах (8, 16, 20, 28, 48 выводов); технологией сборочного производства СВЧ транзисторов; технологией сборочного производства силовых полупроводниковых приборов в корпусах пластмассовых, металлокерамических и металлостеклянных типов КД-44. КТ- 28А-2.01, КТ-28А-2.02, КТ-9С, КТ-4, КТ-43В, КТ-43А- 1.01, КТ-89, КТ-90, КТ-93, КТ-94, КТ-95, КТ-99-1, КТ-115, , , и др.; технологией производства силовых модулей на основе полевых транзисторов, диодов Шоттки и быстровосстанавливающихся высоковольтных диодов в корпусах типов ТО-244, МК К, D-67, МП и др.; технологией производства кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Основная серийно-выпускаемая продукция включает в себя более 900 типономиналов изделий гражданского и специального назначения: транзисторные сборки; логические ИС и ПЛИС; мощные n- и p-канальные полевые транзисторы; БТИЗы; мощные диоды Шоттки; высоковольтные быстровосстанавливающиеся диоды; выпрямительные мосты на основе мощных диодов; мощные ВЧ и СВЧ транзисторы; силовые модули на основе полевых

2 транзисторов и диодов; стабилизаторы напряжения; автомобильная электроника; светодиодные светильники и изделия медицинского назначения Развитие направлений деятельности: Развитие технологии сборки и выпуска программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) в металлокерамических корпусах, разработка и освоение современной номенклатуры специальной силовой электроники, разработка технологии создания радиационно-стойкой электронной компонентной базы (ЭКБ), изделия медицинского назначения. Если Вы заинтересованы в деловом взаимовыгодном сотрудничестве, мы ждем Ваших предложений! Отдел сбыта: Тел.: (473) Факс: (473) Отдел маркетинга: Тел.: (473) Тел./факс: (473)

3 Оглавление 1 ИС И СБИС Программируемые логические интегральные схемы ПЛИС 5576ХС1Т ПЛИС 5576ХС4Т ПЛИС 5576ХС6Т ПЛМ 5576ХС7Т ПЛИС 5578ТС Отладочные платы Отладочная плата 5576ХС1Т Отладочная плата 5576ХС4Т Отладочная плата 5576ХС6Т Отладочная плата 5578ТС Интегральные схемы ИС серии Стабилизаторы напряжения серии Стабилизаторы напряжения серии ИС серии 106, ОС ИС серии 134, ОС ИС серии 1504, ОС ИС серии 1505, ОС ИС серии Стабилизаторы напряжения (приёмка «ОТК») ИС серии 706-1, 706-1Н ИС серии 734, 734-1, 734-1Н Транзисторы Полевые n-канальные транзисторы Полевые p-канальные транзисторы Транзисторные сборки с n- и p-каналами Комплементарные пары транзисторов с n- и p-каналами Биполярные транзисторы с изолированным затвором Биполярные транзисторы ВЧ и СВЧ мощные транзисторы Транзисторы для подвижных средств радиосвязи Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи Полевые n-канальные транзисторы (приёмка «ОТК») Биполярные транзисторы с изолированным затвором (приёмка «ОТК»). 33

4 2.10 ВЧ и СВЧ мощные транзисторы (приёмка «ОТК») Транзисторы для подвижных средств радиосвязи Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи Импульсные транзисторы для навигационной и телеметрической аппаратуры Линейные транзисторы для УКВ ЧМ и телевизионного вещания Силовые модули (приёмка «ОТК») Силовые модули на полевых транзисторах Полевые n-канальные транзисторы (бескорпусное исполнение) Диоды Диоды Шоттки Быстровосстанавливающиеся диоды Однофазные мосты на основе мощных выпрямительных диодов Силовые модули Силовые модули на диодах Шоттки Диоды Шоттки (приёмка «ОТК») Быстровосстанавливающиеся диоды (приёмка «ОТК») Диодные сборки с общим катодом (приёмка «ОТК») Силовые модули (приёмка «ОТК») Силовые модули на диодах Шоттки Силовые модули на диодах Шоттки Силовые модули на быстровосстанавливающихся диодах Диоды Шоттки (бескорпусное исполнение) Силовые модули (приёмка «ОТК») Автомобильная электроника Изделия, поставляемые по ГК Изделия в стадии разработки и/или освоения ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ КАРТОЧКА ПРЕДПРИЯТИЯ НАГРАДЫ. 79

5 1 ИС И СБИС 1.1 Программируемые логические интегральные схемы ПЛИС 5576ХС1Т АЕЯР ; функционально совместимы с изделием EPF10K50 ф.altera; напряжение питания 3,3 0,3 В; 5-вольтовая толерантность входов/выходов; встроенная система конфигурирования, обеспечивающая многократное перепрограммирование посредством внешних конфигурационных устройств или интеллектуальным контроллером через специальный загрузочный порт или JTAG-порт; для конфигурирования рекомендуется использовать ПЗУ 5576РС1У; для проектирования используется САПР ф.altera MAX+PLUS II или Quartus II; выпускается в 240-выводном металлокерамическом планарном корпусе Основные функциональные параметры: Типовая логическая емкость, вент Количество логических элементов Количество логических блоков 360 Объем встроенной памяти, бит Количество триггеров Количество пользовательских выводов 176 Примечание. Предоставляется дополнительная услуга по формовке выводов ПЛИС 5576ХС4Т АЯЕР ; функционально совместимы с изделием EPF10K200S(E) ф.altera; напряжение питания ядра 1,8 В 5%; напряжение питания периферии 3,3 0,3 В; программируемый режим циклической перезаписи конфигурационной памяти; встроенная система конфигурирования, обеспечивающая многократное перепрограммирование; программируемый режим верификации конфигурационной памяти без выхода и рабочего состояния; режим последовательной и параллельной загрузки конфигурации ПЛИС по специальному загрузочному порту; для конфигурирования рекомендуется использовать ПЗУ 5576РС1У; для проектирования используется САПР ф.altera MAX+PLUS II или Quartus II; Выпускается в 256-выводном металлокерамическом планарном корпусе Основные функциональные параметры: Типовая логическая емкость, вент Количество логических элементов Количество логических блоков Объем встроенной памяти, бит Количество триггеров Количество пользовательских выводов По восемь триггеров в каждом логическом блоке и по одному в каждом пользовательском элементе ввода-вывода Примечание. Предоставляется дополнительная услуга по формовке выводов.

6 1 ИС И СБИС 1.1 Программируемые логические интегральные схемы ПЛИС 5576ХС6Т АЕЯР ; функционально совместимы с изделием EPF10K50Е ф.altera; напряжение питания ядра 1,8 В 5%; напряжение питания периферии 3,3 0,3 В; стойкая к СВВФ; программируемый режим верификации конфигурационной памяти без выхода из рабочего состояния; встроенная система конфигурирования, обеспечивающая многократное перепрограммирование; программируемый режим циклической перезаписи конфигурационной памяти; режимы последовательной и параллельной загрузки конфигурации ПЛИС по специальному порту; в качестве конфигурационного устройства могут быть использованы ПЗУ, работающие в режиме Passive (рекомендуется использовать ПЗУ 5576РТ1У), загрузочный кабель (рекомендуется ByteBlasterMV), микропроцессор; для проектирования используется САПР ф.altera MAX+PLUS II или Quartus II + Инструментарий для формирования конфигурационных данных ПЛИС (АО КТЦ ЭЛЕКТРОНИКА ); выпускается в 256-выводном металлокерамическом планарном корпусе Основные функциональные параметры: Типовая логическая емкость, вент Количество логических элементов Количество логических блоков 360 Объем встроенной памяти, бит Количество триггеров Количество пользовательских выводов По восемь триггеров в каждом логическом блоке и по одному в каждом пользовательском элементе ввода-вывода Примечание. Предоставляется дополнительная услуга по формовке выводов ПЛМ 5576ХС7Т АЕНВ ; функционально совместимы с изделием EPF10K30Е ф.altera; напряжение питания ядра 1,8 В 5%; напряжение питания периферии 3,3 0,3 В; стойкая к СВВФ; однократное программирование; режим многократной отладки проекта до программирования по интерфейсу JTAG; режим «холодного резервирования»; для проектирования используется САПР ф.altera MAX+PLUS II или Quartus II + Инструментарий для программирования дополнительных режимов работы и расширенной функциональности элементов ввода/вывода ПЛМ (АО КТЦ ЭЛЕКТРОНИКА ); выпускается в 256-выводном металлокерамическом планарном корпусе Основные функциональные параметры: Типовая логическая емкость, вент Количество логических элементов Количество логических блоков 216 Объем встроенной памяти, бит Количество триггеров Количество пользовательских выводов 170 Примечание. Предоставляется дополнительная услуга по формовке выводов.

7 1 ИС И СБИС ПЛИС 5578ТС024 АЕЯР ; функционально совместимы с изделием EP2C8 (ф. Altera); напряжение питания ядра 1,8 В 5%; напряжение питания периферии 3,3 0,3 В; программируемый режим циклической перезаписи конфигурационной памяти; встроенная система конфигурирования, обеспечивающая многократное перепрограммирование; программируемый режим верификации конфигурационной памяти без выхода из рабочего состояния; режимы последовательной и параллельной загрузки конфигурации ПЛИС по специальному загрузочному порту; программируемые блоки удержания выводов пользователя в последнем состоянии; для конфигурирования рекомендуется использовать ПЗУ 5578РС015 производства АО КТЦ ЭЛЕКТРОНИКА ; для проектирования используется САПР Quartus II (Altera) + Инструментарий для формирования конфигурационных данных ПЛИС (АО КТЦ ЭЛЕКТРОНИКА ); выпускается в 256-выводном металлокерамическом планарном корпусе Основные функциональные параметры: Типовая логическая емкость, вент Количество логических элементов Объем встроенной памяти, бит Количество умножителей 18x18, шт. 20 Количество пользовательских выводов 172 Примечание. Предоставляется дополнительная услуга по формовке выводов.

8 1.2 Отладочные платы Отладочная плата ОП5576ХС1Т.01 1 ИС И СБИС Назначение: Плата предназначена для первоначального знакомства с ПЛИС 5576ХС1Т, отработки программных алгоритмов и тестирования программ. Особенности: Питание отладочной платы может осуществляться от разъема USB или вывода на плате (разъем 20). При питании от порта USB или от разъема питания должно подаваться постоянное напряжение 5В. - Ток потребления до 3А. - Габаритные размеры, мм - 175х175 - Масса, гр, не более Название Название 1 ПЛИС 5576ХС1Т 13 Интегральная микросхема MAX232 для реализации аппаратного RS Тактовый генератор 50 МГц clock0 14 Второй канал RS232 3 Вывод для внешнего тактирования 15 Стабилизатор питания 1335ЕН3.3П 4 PLD-разъемы, на которые выведены 16 Светодиод - индикатор питания ПЛИС незадействованные выводы ПЛИС 5 Перемычка для подключения микросхемы 17 Служебные выводы USART конвертора внешней памяти 6 Микросхема памяти 5576РС1У 4 Мбит 18 Интегральная микросхема для реализации виртуального COM-порта через USB (FT232R) 7 JTAG - разъем 19 Выбор режима USB 8 8 светодиодов пользовательские 20 Разъем для подключения питания 5В индикаторы 9 Монтажное поле с шагом 2.54 мм 21 Разъем USB-mini 10 Отверстия с питающим напряжением 3.3В 22 Переключатели DIP_SWICH_8 11 Служебные выводы 23 Светодиод CONF_DONE индикатор завершения конфигурации ПЛИС 12 Разъем DB-9 RS пользовательские кнопки

9 1.2 Отладочные платы Отладочная плата ОП5576ХС4Т.01 1 ИС И СБИС Назначение: Плата предназначена для первоначального знакомства с ПЛИС 5576ХС4Т, отработки программных алгоритмов и тестирования программ. Особенности: Питание отладочной платы может осуществляться от разъема USB или вывода на плате (разъем 19). При питании от порта USB или от разъема питания должно подаваться постоянное напряжение 5В. - Ток потребления до 3А. - Габаритные размеры, мм - 175х175 - Масса, гр, не более Название Название 1 ПЛИС 5576ХС4Т 13 Разъем - выбор режима USB 2 Тактовый генератор 50 МГц clock0 14 Разъем USB-mini 3 Служебные выводы 15 Стабилизаторы питания 1335ЕН3.3П 4 Светодиод CONF_DONE индикатор 16 2 светодиода индикация питания завершения конфигурации ПЛИС 5 Вывод для внешнего тактирования 17 JTAG - разъем 6 PLD-разъемы, на которые выведены незадействованные выводы ПЛИС 18 Перемычка для подключения микросхемы внешней памяти 7 4 пользовательские кнопки 19 Разъем для подключения питания 5В 8 8 светодиодов пользовательские 20 Микросхема памяти 5576РС1У 4 Мбит индикаторы 9 Отверстия с питающим напряжением 3.3В 21 Второй канал RS Монтажное поле с шагом 2.54 мм 22 Интегральная микросхема MAX232 для реализации аппаратного RS Служебные выводы USART конвертора 23 Разъем DB-9 RS Интегральная микросхема для реализации виртуального COM-порта через USB (FT232R) 24 Переключатель DIP_SWITCH_8

10 1.2 Отладочные платы Отладочная плата ОП5576ХС6Т.01 1 ИС И СБИС Назначение: Плата предназначена для первоначального знакомства с ПЛИС 5576ХС6Т, отработки программных алгоритмов и тестирования программ. Особенности: Питание отладочной платы может осуществляться от разъема USB или вывода на плате (разъем 14). При питании от порта USB или от разъема питания должно подаваться постоянное напряжение 5В. - Ток потребления до 3А. - Габаритные размеры, мм - 175х175 - Масса, гр, не более Название Название 1 ПЛИС 5576ХС6Т 13 Сервисные выводы микросхемы FT232RL 2 Тактовый генератор 50 МГц QG1 14 Разъем mini USB (A) 3 Служебные выводы ПЛИС 15 Стабилизаторы питания серии Светодиод CONF_DONE индикатор конфигурации ПЛИС 16 Индикация наличия питания 5 Вывод внешнего тактирования 17 JTAG - разъем 6 Пользовательские выводы ПЛИС 18 Перемычка для работы без микросхемы памяти 7 4 кнопки 19 Разъем для подключения питания 5В 8 8 светодиодов 20 Микросхема памяти 5576РС1У 4 Мбит 9 Монтажное поле питание 3.3В 21 Второй канал RS Монтажное поле с шагом 2.54 мм 22 Микросхема согласование уровней MAX232 (RS-232) 11 Служебные выводы UART конвертора 23 Разъем DB-9 RS 232 FT232RL 12 Преобразователь USB-UART 24 Переключатель DIP_SWITCH_8

11 1.2 Отладочные платы Отладочная плата ОП5578ТС ИС И СБИС Назначение: Плата предназначена для первоначального знакомства с ПЛИС 5578ТС024, отработки программных алгоритмов и тестирования программ. Особенности: Питание отладочной платы может осуществляться от разъема USB или вывода на плате. При питании от порта USB или от разъема питания должно подаваться постоянное напряжение 5В. - Ток потребления до 3А. - Габаритные размеры, мм - 175х175 - Масса, гр, не более Название Название 1 ПЛИС 5578ТС Сервисные выводы микросхемы FT232RL 2 Тактовый генератор 50 МГц QG1 14 Разъем mini USB (A) 3 Служебные выводы ПЛИС 15 Стабилизаторы питания серии Светодиод CONF_DONE индикатор конфигурации ПЛИС 16 Индикация наличия питания 5 Вывод внешнего тактирования 17 JTAG - разъем 6 Пользовательские выводы ПЛИС 18 Перемычка для работы без микросхемы памяти 7 4 кнопки 19 Разъем для подключения питания 5В 8 8 светодиодов 20 Микросхема памяти 5576РС1У 4 Мбит 9 Монтажное поле питание 3.3В 21 Второй канал RS Монтажное поле с шагом 2.54 мм 22 Микросхема согласование уровней MAX232 (RS-232) 11 Служебные выводы UART конвертора FT232RL 23 Разъем DB-9 RS Преобразователь USB-UART 24 Переключатель DIP_SWITCH_8

12 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 5574 АЕЯР ; напряжение питания (3,3±0,3) В; выходной ток (24) ма; 5-вольтовая толерантность входов/выходов; радиационно-стойкие. 1 ИС И СБИС Тип Аналог Функция 5574ИН2Т SN54LVC245 8-канальный приемопередатчик с тремя состояниями на выходе 5574АП4Т SN54LVC541 8-канальный формирователь с тремя состояниями на выходе 8-разрядный регистр с ИР23Т SN54LVC374 импульсным управлением и тремя состояниями на выходе 5574ЛП8Т SN54LVC125 шесть буферных усилителей с тремя состояниями на выходе два 8-канальных 5574ИН1У IDT74LVCH16245 приемопередатчика с тремя Н В состояниями на выходе 5574ИН3У 5574ИН4У 5574АП5У 5574ИР1У 5574ИР2У IDT74LVCH16543 IDT74LVCH16952 IDT74LVCH16244 IDT74LVCH16373 IDT74LVCH16374 два 8-канальных приемопередатчика с потенциальным управлением и тремя состояниями на выходе два 8-канальных приемопередатчика с импульсным управлением и тремя состояниями на выходе четыре 4-канальных формирователя с тремя состояниями на выходе два 8-разрядных регистра с потенциальным управлением и тремя состояниями на выходе два 8-разрядных регистра с импульсным управлением и тремя состояниями на выходе Н В Н В АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР Н В Н В

13 1.3 Интегральные микросхемы Стабилизаторы напряжения серии 1334 Параметры при T К = (25 10) o C Тип Аналог U ВЫХ, В I ВЫХ, ма 1 ИС И СБИС K I, % K U, % U ПДmin, В I ПОТ, ма с фиксированным выходным напряжением положительной полярности 1334ЕН2.85Т 2, ЕН3Т 3,0 LP2950 0, ,2 0,2 0,08 0,45 1 0, , ЕН3.3Т 3,3 1334ЕН5Т 5,0 с фиксированным выходным напряжением отрицательной полярности 1334ЕИ5Т LM79L05-5, ,2 1,7 5, Диапазон значений в зависимости от токов нагрузки I ВЫХ 2 при U ВХ = U ВЫХ +1В, I ВЫХ = (0,1 100) ма 3 при U ВХ = - 10 В, I ВЫХ = -40 ма АЕЯР Интегральные микросхемы Стабилизаторы напряжения серии 1335 Параметры при T К = (25 10) o C Тип Аналог U ВЫХ, В I ВЫХ, А K I, % K U, % U ПДmin, В I ПОТ, ма с регулируемым выходным напряжением положительной полярности 1335ЕР1П LD1084 1,25 1 0,01 5,0 0,3 0,2 1,5 0,12 2 КТ-28А-2.02 с фиксированным выходным напряжением положительной полярности 1335ЕН1.8П LD1084V18 1,8 1335ЕН2.5П LD1084V25 2,5 0 5,0 0,6 0,3 1, КТ-28А ЕН3.3П LD1084V33 3,3 1335ЕН5П LD1084V50 5,0 1 U ОП, при I ВЫХ = 10 ма, U ВХ = 4,25 В 2 I РЕГ, при I ВЫХ = 10 ма, U ВХ = 4,25 В 3 при U ВХ = 30 В, I ВЫХ = 0 А - АЕЯР КТ-28А-2.02

14 1 ИС И СБИС 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 106, ОС106 Тип Функция 106ЛБ1 106ЛБ1А 106ЛБ2 106ЛБ2А 106ЛБ5 106ЛБ5А 106ЛБ6 106ЛБ6А 106ЛР1 106ЛР1А 106ЛР2 106ЛР2А 106ЛД1 106ЛД1А 106ЛД2 106ЛД2А 106ЛД5 106ЛД5А 106ЛД6 106ЛД6А 106ТР1 106ТР1А 106ТР2 106ТР2А ОС106ЛБ1 ОС106ЛБ1А ОС106ЛБ2 ОС106ЛБ2А ОС106ЛБ5 ОС106ЛБ5А ОС106ЛБ6 ОС106ЛБ6А ОС106ЛР1 ОС106ЛР1А ОС106ЛР2 ОС106ЛР2А ОС106ЛД1 23И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 8И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 4-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 8-входовый расширитель по ИЛИ 24-входовых расширителя по ИЛИ R-S триггер с элементами 3И-НЕ на входе 23И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 8И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 4-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ бк бк бк И С И С 8-входовый расширитель по ИЛИ ОС106ЛД1А ОС106ЛД2 ОС106ЛД2А ОС106ЛД5 24-входовых расширителя по ИЛИ И С ОС106ЛД5А

15 1 ИС И СБИС 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 106, ОС106 Тип Функция ОС106ЛД6 ОС106ЛД6А 24-входовых расширителя по ИЛИ ОС106ТР1 ОС106ТР1А ОС106ТР2 ОС106ТР2А R-S триггер с элементами 3И-НЕ на входе И С 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 134, ОС134 Тип Функция 134ЛБ1А 134ЛБ1Б 42И-НЕ/2ИЛИ-НЕ 134ЛБ2А 134ЛБ2Б 24И-НЕ/4ИЛИ-НЕ и инвертор бк ЛР1А 134ЛР1Б 2И-2И-2ИЛИ-НЕ и 4И-4И-2ИЛИ-НЕ 134ЛР2А 134ЛР2Б 2И-2И-3И-4И-4ИЛИ-НЕ бк ТВ1 J-K триггер 134ТВ14 2J-K триггера бк РМ1 22-разрядных D-регистра 134ИЕ5 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик ИР1 134ИР1А 4-разрядный сдвигающий регистр бк ИР2 8-разрядный сдвигающий регистр 134ИР8ЭВ 8-разрядный последовательный сдвигающий регистр с параллельным выходом 134КП8 3мультиплексор 2-1 бк КП9 2мультиплексор КП10 мультиплексор ИП2 8-разрядная схема контроля четности и нечетности 134ХЛ3 МЭЦС 134ИД6 дешифратор бк ИМ4 4-разрядный полный сумматор 134ИП3 АЛУ РУ6 статическое ОЗУ РУ6А бк ОС134ЛБ1А 42И-НЕ/2ИЛИ-НЕ И С ОС134ЛБ1Б

16 1 ИС И СБИС 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 134, ОС134 Тип Функция ОС134ЛБ2А 24И-НЕ/4ИЛИ-НЕ и инвертор ОС134ЛБ2Б ОС134ЛР1А 2И-2И-2ИЛИ-НЕ и 2И-4И-2ИЛИ-НЕ ОС134ЛР1Б ОС134ЛР2А 2И-2И-3И-4И-4ИЛИ-НЕ И С ОС134ЛР2Б ОС134ТВ1 J-K триггер И С ОС134ТВ14 2J-K триггера И С ОС134РМ1 22-разрядных D-регистра ОС134ИЕ5 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик ОС134ИР1 4-разрядный сдвигающий регистр бк с ОС134ИР1А ОС134ИР2 8-разрядный сдвигающий регистр ОС134КП8 3мультиплексор 2-1 ОС134КП9 2мультиплексор 4-1 бк с ОС134КП10 мультиплексор разрядная схема контроля четности и ОС134ИП2 бк с нечетности И С ОС134ХЛ3 МЭЦС бк с ОС134ИД6 дешифратор ОС134ИМ4 4-разрядный полный сумматор бк с ОС134ИП3 АЛУ Интегральные микросхемы ИС серии 1504, ОС1504 Тип Функция 1504ЛБ1 1504ЛБ1А 1504ЛБ2 23И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 1504ЛБ2А 1504ЛБ5 1504ЛБ5А 1504ЛБ6 8И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ ЛБ6А 1504ЛА3ЭВ 1504ЛА3АЭВ 42И-НЕ 1504ЛА4ЭВ 1504ЛА4АЭВ 33И-НЕ бк бк

17 1 ИС И СБИС 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 1504, ОС1504 Тип Функция 1504ЛА6ЭВ 24И-НЕ с повышенной нагрузочной 1504ЛА6АЭВ способностью бк ЛА8ЭВ 42И-НЕ с открытым коллектором 1504ЛА8АЭВ 1504ЛР1 1504ЛР1А 1504ЛР2 1504ЛР2А 1504ЛР11АЭВ 1504ЛР11БЭВ 4И-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 22И/2ИЛИ-НЕ бк ЛД1 1504ЛД1А 8-входовый расширитель по ИЛИ 1504ЛД5 1504ЛД5А 1504ЛД6 1504ЛД6А 1504ТР1 1504ТР1А 1504ТР2 24-входовых расширителя по ИЛИ бк ТР2А 1504ТВ1 J-K триггер с элементами 3И на входах J и К бк ОС1504ЛБ1 ОС1504ЛБ1А ОС1504ЛБ2 ОС1504ЛБ2А ОС1504ЛБ5 23И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ бк с ОС1504ЛБ5А ОС1504ЛБ6 ОС1504ЛБ6А ОС1504ЛА3ЭВ ОС1504ЛА3АЭВ 8И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 42И-НЕ бк с ОС1504ЛА4ЭВ ОС1504ЛА4АЭВ 42И-НЕ бк с ОС1504ЛА6ЭВ ОС1504ЛА6АЭВ 24И-НЕ с повышенной нагрузкой ОС1504ЛА8ЭВ ОС1504ЛА8АЭВ 42И-НЕ с открытым коллектором бк ОС1504ЛР1 ОС1504ЛР1А ОС1504ЛР2 4И-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ бк с

18 1 ИС И СБИС 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 1504, ОС1504 Тип Функция ОС1504ЛР2А 4И-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ ОС1504ЛД1 ОС1504ЛД1А 8-входовый расширитель по ИЛИ ОС1504ЛД5 ОС1504ЛД5А 24-входовых расширителя по ИЛИ ОС1504ЛД ОС1504ЛД6А ОС1504ТР1 ОС1504ТР1А ОС1504ТР2 R-S триггер с элементами 3И-НЕ на входе ОС1504ТР2А бк с бк с бк с 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 1505, ОС1505 Тип Функция 1505ЛР1А 1505ЛР1Б 2И-2И-2ИЛИ-НЕ и 2И-4И-2ИЛИ-НЕ 1505ЛР2А 1505ЛР2Б 2И-2И-3И-4И-4ИЛИ-НЕ бк ЛР4АЭВ 1505ЛР4БЭВ 4И-4И-2ИЛИ-НЕ 1505ТВ1 J-K триггер бк ТВ14 2J-K триггер 1505РМ1 22-разрядный D-регистра 1505ТМ2АЭВ бк D-триггера с Установкой и Сбросом 1505ТМ2БЭВ 1505ИЕ2 4-разрядный двоично-десятичный счетчик бк ИЕ5 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик 1505ИР1 1505ИР1А 4-разрядный сдвигающий регистр 1505ИР2 8-разрядный сдвигающий регистр 1505КП8 три схемы переключателя 2 каналов в КП9 сдвоенный коммутатор 4каналов в КП10 мультиплексор 8-1 бк ИП2 8-разрядная схема контроля четности и нечетности 1505ХЛ3 МЭЦС 1505ЛП3ЭВ мажоритарный элемент 1505ИД6 дешифратор ИМ4 4-разрядный полный сумматор

19 1 ИС И СБИС 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 1505, ОС1505 Тип Функция 1505ЛБ1А 1505ЛБ1Б 42И-НЕ/2ИЛИ-НЕ 1505ЛБ2А 1505ЛБ2Б 24И-НЕ/4ИЛИ-НЕ и инвертор 1505ЛА8В 1505ЛА2АЭВ 1505ЛА2БЭВ 8И-НЕ 1505ЛА8АЭВ 1505ЛА8БЭВ 42И-НЕ с открытым коллектором 1505ЛА8ВЭВ ОС1505ЛБ1А ОС1505ЛБ1Б 42И-НЕ/2ИЛИ-НЕ ОС1505ЛБ2А ОС1505ЛБ2Б 24И-НЕ/4ИЛИ-НЕ и инвертор ОС1505ЛА8В ОС1505ЛА2АЭВ ОС1505ЛА2БЭВ 8И-НЕ ОС1505ЛА8АЭВ ОС1505ЛА8БЭВ 42И-НЕ с открытым коллектором ОС1505ЛА8ВЭВ ОС1505ЛР1А ОС1505ЛР1Б 2И-2И-2ИЛИ-НЕ и 2И-4И-2ИЛИ-НЕ ОС1505ЛР2А ОС1505ЛР2Б 2И-2И-3И-4И-4ИЛИ-НЕ ОС1505ЛР4АЭВ ОС1505ЛР4БЭВ 4И-4И-2ИЛИ-НЕ ОС1505ТВ1 J-K триггер ОС1505ТВ14 2J-K триггер ОС1505РМ1 22-разрядный D-регистра ОС1505ТМ2АЭВ ОС1505ТМ2БЭВ 2D-триггера с Установкой и Сбросом ОС1505ИЕ5 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик ОС1505ИР1 ОС1505ИР1А 4-разрядный сдвигающий регистр ОС1505ИР2 8-разрядный сдвигающий регистр ОС1505КП8 3мультиплексор 2-1 ОС1505КП9 2мультиплексор 4-1 ОС1505КП10 мультиплексор 8-1 ОС1505ИП2 8-разрядная схема контроля четности и нечетности ОС1505ХЛ3 МЭЦС бк бк с бк с бк с бк с бк с бк с

20 бк /05 1 ИС И СБИС 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 1505, ОС1505 Тип Функция ОС1505ЛП3ЭВ мажоритарный элемент ОС1505ИД6 дешифратор 410 ОС1505ИМ4 4-разрядный полный сумматор бк с ИС серии 1804 Тип Функция 1804ВА2 Четырехразрядный канальный приемопередатчик бк ВР1 схема ускоренного переноса 1804ИР1 четырехразрядный параллельный регистр бк ВУ3 схема управления следующим адресом 1804ВС1 четырехразрядная микропроцессорная секция ВУ схема управления адресом микрокоманды 1804ВУ бк схема управления последовательностью 1804ВУ бк микрокоманд 1804ГГ1 системный тактовый генератор бк Интегральные микросхемы Стабилизаторы напряжения (приёмка «ОТК») Тип Аналог U ВЫХ, К U, K I при I ВЫХ, В % 1,0 А 1,5 А 2,0 А t ХР., С фиксированного напряжения положительной полярности КР142ЕН5А 1 VC ,1 1,33 КР142ЕН5В 1 VC ,18 1,0 0,05 КР142ЕН5Б 1 VC ,12 1,33 КР142ЕН5Г 1 VC ,21 1,0 (-45) - (+70) КР142ЕН8А 2 VC ,27 0,67 КР142ЕН8Г 3 VC ,36 0,1 1,5 КР142ЕН8Б 2 VC ,36 0,05 0,67 1 U ВХmax =15 В; 2 U ВХmax =35 В; 3 U ВХmax =30 В; 4 U ВХmax =40 В

21 АДБК бк /05 1 ИС И СБИС 1.3 Интегральные микросхемы Стабилизаторы напряжения (приёмка «ОТК») Тип Аналог U ВЫХ, К U, K I при I ВЫХ, В % 1,0 А 1,5 А 2,0 А t ХР., С фиксированного напряжения положительной полярности КР142ЕН8Д 3 VC ,48 0,1 1,5 КР142ЕН8В 2 VC ,45 0,05 0,67 КР142ЕН8Е 3 VC ,60 0,1 1,5 КР142ЕН9А 4 VC ,40 0,5 0,67 КР142ЕН9Г 2 VC ,60 0,1 КР142ЕН9Б 4 VC ,48 0,5 0,67 КР142ЕН9Д 2 VC ,72 0,1 КР142ЕН9В 4 VC ,54 0,5 0,67 КР142ЕН9Е 2 VC ,81 0,1 КР142ЕН9К VC ,81 1,5 КР142ЕН5А 1 VC ,1 1,33 КР142ЕН5В 1 VC ,18 1,0 0,05 КР142ЕН5Б 1 VC ,12 1,33 КР142ЕН5Г 1 VC ,21 1,0 (-45) - (+70) КР142ЕН8А 2 VC ,27 0,67 КР142ЕН8Г 3 VC ,36 0,1 1,5 КР142ЕН8Б 2 VC ,36 0,05 0,67 КР142ЕН8Д 3 VC ,48 0,1 1,5 КР142ЕН8В 2 VC ,45 0,05 0,67 КР142ЕН8Е 3 VC ,60 0,1 1,5 КР142ЕН9А 4 VC ,40 0,5 0,67 КР142ЕН9Г 2 VC ,60 0,1 КР142ЕН9Б 4 VC ,48 0,5 0,67 КР142ЕН9Д 2 VC ,72 0,1 КР142ЕН9В 4 VC ,54 0,5 0,67 КР142ЕН9Е 2 VC ,81 0,1 КР142ЕН9К VC ,81 1,5 регулируемые положительной полярности КР142ЕН12А LM317T 1,2-37,0 0,01 0,2 (-10) - (+70) 1 U ВХmax =15 В; 2 U ВХmax =35 В; 3 U ВХmax =30 В; 4 U ВХmax =40 В

22 АДБК АДБК ИС И СБИС 1.3 Интегральные микросхемы Стабилизаторы напряжения (приёмка «ОТК») Тип Аналог U ВЫХ, К U, K I при I ВЫХ, t ХР., В % 1,0 А 1,5 А 2,0 А о С регулируемые положительной полярности КР142ЕН12Б LM317T 1,2-37,0 0,3 0,2 (-10) - (+70) КР142ЕН18А регулируемые отрицательной полярности 0,33-1,2- LM337T 0,03 КР142ЕН18Б 26,5 0,33 (-10) - (+70) 1 U ВХmax =15 В 2 U ВХmax =35 В 3 U ВХmax =30 В 4 U ВХmax =40 В 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 706-1, 706-1Н БЕСКОРПУСНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ Тип Функция 706ЛБ ЛБ2-1 23И-НЕ/3ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 706ЛБ ЛБ4-1 22И-НЕ/2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 706ЛР ЛР И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 706ЛР ЛР И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 706ЛР ЛР6-1 8И-НЕ/8ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 706ЛБ ЛБ2-1 8-входовый расширитель по ИЛИ 706ЛБ2-1Н 706ЛБ3-1Н 706ЛБ4-1Н 22И-НЕ/2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ ХА ХА ХА

23 1 ИС И СБИС БЕСКОРПУСНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 706-1, 706-1Н Тип Функция 706ЛР ЛР ЛБ ЛБ ЛД ЛД ЛД ЛД ЛД ЛД ЛБ1-1Н 706ЛБ2-1Н 706ЛБ3-1Н 706ЛБ4-1Н 706ЛР1-1Н 706ЛР2-1Н 706ЛР3-1Н 706ЛР4-1Н 706ЛР5-1Н 706ЛР6-1Н 706ЛД1-1Н 706ЛД2-1Н 706ЛД3-1Н 706ЛД4-1Н 706ЛД5-1Н 706ЛД6-1Н 706ЛД7-1Н 706ЛД8-1Н 8И-НЕ/8ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 8-входовый расширитель по ИЛИ 6-входовый расширитель по ИЛИ 24-входовых расширителя по ИЛИ 23-входовых расширителя по ИЛИ 23И-НЕ/3ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 22И-НЕ/2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 4-4ИЛИ-2ИЛИ-НЕ 2-2И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 8И-НЕ/8ИЛИ-НЕ 8-входовый расширитель по ИЛИ 6-входовый расширитель по ИЛИ 24-входовых расширителя по ИЛИ 23-входовых расширителя по ИЛИ ХА ХА ХА ХА РМ ХА РМ ХА РМ

24 1 ИС И СБИС БЕСКОРПУСНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ 1.3 Интегральные микросхемы ИС серии 734, 734-1, 734-1Н Тип Функция 734ЛБ1А-1 734ЛБ1Б-1 42И-НЕ/2ИЛИ-НЕ 734ЛБ2А-1 734ЛБ2Б-1 24И-НЕ/4ИЛИ-НЕ ХА ЛР1А-1 734ЛР1Б-1 2-2И-2ИЛИ-НЕ и 2И-4И-2ИЛИ-НЕ 734ЛР2А-1 734ЛР2Б И-4ИЛИ-НЕ ХА ЛБ1А-1Н 734ЛБ1Б-1Н 42И-НЕ/2ИЛИ-НЕ 734ЛБ2А-1Н 734ЛБ2Б-1Н 24И-НЕ/4ИЛИ-НЕ 734ЛР1А-1Н 734ЛР1Б-1Н 2-2И-2ИЛИ-НЕ и 2И-4И-2ИЛИ-НЕ 734ЛР2А-1Н 734ЛР2Б-1Н И-4ИЛИ-НЕ 734ТВ1-1 J-K триггер 734ТВ14-1 2J-K триггера бк ИЕ5-1 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик 734ИР1-1 универсальный регистр сдвига на 4 разряда 734ИР1А-1 бк РМ1-1 4 накопительных элемента 734ИР2-1 8-разрядный сдвигающий регистр 734КП8-1 3 схемы переключения 734КП9-1 сдвоенный коммутатор 4 каналов в 1 бк КП10-1 коммутатор 8 каналов в 1 734ИД дешифратор бк ХА РМ ХА РМ ТВ1-1Н J-K триггер бк ТВ14-1Н 2J-K триггера РМ ИЕ5-1Н 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик бк ИР1-1Н универсальный регистр сдвига на 4 разряда РМ ИР1А-1Н 734РМ1-1Н 4 накопительных элемента 734ИР2-1Н 8-разрядный сдвигающий регистр 734КП8-1Н 3 схемы переключения бк КП9-1Н сдвоенный коммутатор 4 каналов в 1 РМ КП10-1Н коммутатор 8 каналов в 1 734ИД6-1Н 410 дешифратор бк РМ

25 АЕЯР АЕЯР ТРАНЗИСТОРЫ 2.1 Полевые n-канальные транзисторы (T К = 25 o C) Тип Аналог U СИmax, В I Сmax, А R СИотк., Ом P max, Вт Транзисторы в металлопластмассовых корпусах 2П769А IRF ,5 0, П769Г ,5 0, П769В IRF , П769Д , П769Е , П767А IRF ,8 50 2П767Ж , П767В IRF , П767Е , П768А IRF ,8 55 2П768К IRF , П768П , П769А9 IRFR , П767А9 IRFR ,5 0,8 42 2П768А9 IRFR ,8 1,8 42 2П769В91 IRF540S , П769Д , П769Е , П767В91 IRF640S , П767Ж , П768К91 IRF740S , П768П , П790А IRFP , П790Б , П793А IRFP , Транзисторы в металлокерамических корпусах 2П767В , П707Б 600 3, П769В92 IRFN , П769Д , П790А92 IRF , П790Б , П767В92 IRFN , П767Ж , U ЗИпор = (1,5 2,7) В; 2 2,0 В U ЗИпор 4,0 В; для остальных U ЗИпор. = (1,5 6,0) В КТ-89 КТ-90 КТ-43В КТ-56 КТ-94 АЕЯР АЕЯР КТ-89 КТ-90 КТ-43В КТ-56 КТ-94

26 АЕЯР АЕЯР АЕЯР ТРАНЗИСТОРЫ 2.1 Полевые n-канальные транзисторы (T К = 25 o C) Тип Аналог U СИmax, В I Сmax, А R СИотк., Ом P max, Вт Транзисторы в металлокерамических корпусах 2П793А92 IRF , П768П , П794А92 IRF , П794В ,2 150 КТ-94 2П770К92 IRF , П770П , П795А92 IRFN , П782Ж2 IRFM , П769В2 IRFY140C 14 0, П769Д2 25 0, П767В2 IRFY240C 0, П767Ж2 0, КТ-28А П770К2 IRFY440C 0, П770П2 0, П707В2 IRFPE , П790А4 IRFM150 0, П790Б4 0, КТ-43А П793А4 IRFM , П795А4 IRFM ,4 150 Транзисторы в металлостеклянных корпусах 2П782Ж1 IRF , П769В1 IRF140 0, П769Д1 0, П790А1 IRF150 0, П790Б1 0, П767В1 IRF240 0, П767Ж1 0, П793Б1 IRF , КТ-9С 2П793А1 IRF , П794Б1 10 0,3 100 IRF350 2П794А , П794В1 0, П770К1 IRF440 0, П770П1 0, П795Б1 IRF , П795А1 IRF ,4 150 КТ-94 КТ-28А-2.02 КТ-43А-1.01 КТ-9С

27 АЕЯР АЕЯР АЕЯР ТРАНЗИСТОРЫ 2.2 Полевые p-канальные транзисторы U Тип Аналог СИmax, I 1 Сmax, R СИотк., P 1 max, В А Ом Вт 2П7229В2 IRF , П7229А2 0,065 2 КТ-28А-2.02 IRF5M П7229Б2 0, П7229А 0,055 2 IRF П7229Б 0, П7229В IRF , П7229В91 IRF9640 КТ-90 1 T К = 25 o C; 2 U ЗИ = -10В, I C = -24А; 3 U ЗИпор = - 10В, I C = -9А 2.3 Транзисторные сборки с n- и p-каналами (T К = 25 o C) Тип U СИmax, I Сmax, R СИотк., P max, В А Ом Вт 2П7241ГС ,7 0,030 2П7241АС ,035 2П7241БС ,5 0,250 2П7241ВС ,5 0, А 2П7240ГС ,7 0, П7240АС ,020 2П7240БС ,060 2П7240ВС ,5 0,085 2ПЕ102АС ,5 0,48 2ПЕ101АС ,1 0,21 МК U ПОР = (1,5 2,5)В; 2 U ПОР = ( -1,0-2,5 )В; 3 U ПОР =(1,5 6,0) В; 4 U ПОР =( -2,5-5,0 )В АЕЯР Комплементарные пары транзисторов с n- и p-каналами (T К = 25 o C) Тип U СИmax, I Сmax, R СИотк., P max, В А Ом Вт 2П7247ГР ,7 0, ,7 0,030 2П7247АР , ,035 2П7247БР , ,5 0, А 2П7247ВР ,5 0, ,5 0,500 1 для n-канала: U ПОР = (1,5 2,5)В, для p-канала: U ПОР = ( -1,0-2,5 )В; 2 для n-канала: U ПОР =(1,5 6,0)В, для p-канала: U ПОР =( -2,5-5,0 )В. КТ-28А-2.02 КТ А МК

28 n-p-n КТЮ-3-1 Технология не более, В Не более, А не более, нс 2 ТРАНЗИСТОРЫ 2.4 Комплементарные пары транзисторов с n- и p-каналами (T К = 25 o C) U Тип СИmax, I Сmax, R СИотк., P max, В А Ом Вт 2ПЕ103АС ,1 0,21 2 МК ,5 0,48 1 для n-канала: U ПОР = (1,5 2,5)В, для p-канала: U ПОР = ( -1,0-2,5 )В; 2 для n-канала: U ПОР =(1,5 6,0)В, для p-канала: U ПОР =( -2,5-5,0 )В. АЕЯР Биполярные транзисторы с изолированным затвором (T К = 25 o C) Тип Аналог U КЭmax, I Кmax, U КЭ откр, P max, В А В Вт 2Е901А IRG4PH50UD КТ-43А Е901Б IXGH16N КТ-109А-1К 2Е901В IXLF19N250A Биполярные транзисторы (Изолированное основание) АЕЯР Тип Аналог PKmax, Вт UКЭ max, В IК max, А h 21Э UКЭ нас. IКБО fгр, МГц tрас 2Т301Г ,06 2Т301Д 2N ,15 3,0 0, Т301Е ,06 2Т301Ж Т312А Т312А ОС 2Т312Б Т312Б ОС 0,5 2Т312Б1 1 0, , Т312Б1 ОС 1 0, Т312В ЩБ ЖК ЖК /Д6 аа ЖК /Д3 ЖК /Д3 аа ЖК Т312В ОС ЖК /Д6 аа ,35 2Т312В1 1 ЖК /Д3 2Т312В1 ОС ЖК /Д3 аа Т312Д 2 0, , ,001 ЖК /Д2 1 Радиационно-стойкие 2 К Ш 5 дб (при U КБ = 3 В; I Э = 150 мка; f = 1000 Гц; R ГЕН = 600 Ом) МК КТ-43А-1.01 КТ-109А-1К КТЮ-3-1

29 4 p-n-pтранзистора 0, n-p-n транзистора p-n-p КТЮ n-p-n 2,8 КТЮ-3-9 0,25 КТЮ-3-6 Аналог Технология не более, В не более, А не более, нс 2.6 Биполярные транзисторы 2 ТРАНЗИСТОРЫ Тип PKmax, Вт UКЭ max, В IК max, А h 21Э UКЭ нас. IКБО fгр, МГц tрас П П307В ,03 П П Т602А ,15 2Т602Б , ,0 0, ЖК И Т903А 2SC Т903Б 2N , И Т837А 80 >15 2Т837Б 60 >30 2Т837В 45 >40 2Т837Г 80 >15 0,9 0, Т837Д 60 >30 2Т837Е 45 >40 Транзисторные матрицы 1НТ251 1НТ251 ОС 2N НТ251А ,006 1НТ251А ОС 1, НТ251А ,015 1НТ251А2 ОС 1 2ТС622А 45 0,4 2ТС622А ОС 2N , N ,03 2ТС622А1 1,3 2ТС622А1 1 ОС 1 2ТС622Б 2ТС622Б ОС ,01 1 Радиационно-стойкие 2 К Ш 5 дб (при U КБ = 3 В; I Э = 150 мка; f = 1000 Гц; R ГЕН = 600 Ом) 200 аа И И /Д6 аа И И /Д6 аа И /Д1 И /Д1 аа И И /Д6 аа И /Д1 И /Д6 аа И И /Д6 аа КТЮ-3-6 КТЮ-3-9 КТЮ

30 Аналог Технология 2.6 Биполярные транзисторы 2 ТРАНЗИСТОРЫ Тип PKmax, Вт UКЭ max, В не более, В IК max, А h 21Э UКЭ нас. не более, А IКБО fгр, МГц 4 n-p-n транзистора 0, p-n-p не более, нс tрас Транзисторные матрицы 2Т689АС 2Т689АС ОСМ 2Т690АС 2N3799 0, ,0 0, аа аа ПО аа Т690АС ОСМ 2N4123 0, ,8 0,005 аа ПО Радиационно-стойкие 2 К Ш 5 дб (при U КБ = 3 В; I Э = 150 мка; f = 1000 Гц; R ГЕН = 600 Ом) 2.7 ВЧ И СВЧ мощные транзисторы Транзисторы для подвижных средств радиосвязи Тип Аналог ƒ, Мгц P ВЫХ, Вт U КЭ, В К УР, раз η, % 2Т929А ,0 аа Т920А 2 7,0 60 КТ-17 2Т920Б 2N ,0 И Т920В 2N ,0 2Т958А BM ,0 50 КТ-32 аа ,6 2Т925А 2 6,3 2Т925Б ,0 КТ-17 И Т925В 2N ,0 2Т960А ,5 КТ-32 аа КТ-17 КТ-32

31 2 ТРАНЗИСТОРЫ Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи Тип Аналог ƒ, Мгц P ВЫХ, Вт U КЭ, В К УР, раз η, % 2Т922А 2N ,0 2Т922Б 2N ,5 55 КТ-17 И Т922В 2N ,0 2Т931А 2N ,0 50 КТ-32 аа Т971А 150 3,0 55 КТ-56 аа Т907А 2N ,0 40 КТ-4 И Т934А 2N ,0 2Т934Б 2N ,0 КТ-17 И Т934В 2N ,0 2Т930А 2N ,0 50 2Т930Б 2N ,0 КТ-32 аа Т970А 100 4,0 КТ-56 аа Т985АС ,5 КТ-45 аа Т909А 2N , Т909Б КТ-15 И Т9105АС 100 3,0 аа КТ-45 2Т9125АС 50 4,0 аа Т9104А 5 8,0 40 КТ-42 аа Т9104Б 20 7, Т991АС 55 6,0 50 аа КТ-44 2Т9101АС ,5 аа Т911А ,8 2,0 2Т911Б 40 КТ-18 И Т962А DM ,0 36 2Т962Б DM ,5 40 аа КТ-17 2Т962В DM ,0 40 2Т976А 60 2,0 45 аа Т9132АС ,5 55 КТ-44 аа КТ-17 КТ-32 КТ-56 КТ-4 КТ-45 КТ-15 КТ-42 КТ-44 КТ-18

32 2 ТРАНЗИСТОРЫ 2.8 Полевые n-канальные транзисторы (T К = 25 o C) (приёмка «ОТК») Тип Аналог U СИmax, I Сmax, R СИотк, P max, В А Ом Вт КП707А КП707Б КП767А IRF ,2 0,8 50 КП767Б IRF ,4 74 КП767В IRF , КП767Г IRF ,4 1,1 50 КП767Д IRF ,1 0,45 74 КП768А IRF ,3 1,8 50 КП707В (1) 2, КП707В (1) 3 50 КП767А ,5 0,8 42 КП768А ,8 1,8 42 КТ-89 КП767В91 IRF , КТ-90 КП768Б IRF ,3 1,8 50 КП768Г IRF ,3 2,5 50 КП768Е IRF , КП768И IRF ,5 1,5 74 КП768В IRF ,3 2,5 50 КП768Д IRF , КП768Ж IRF ,5 1,5 74 КП768К IRF , КП769А ,27 42 КТ-89 КП769А IRF ,2 0,27 60 КП768Н IRF ,8 125 КП768К91 IRF , КТ-90 КП768М IRF ,8 125 КП769Б IRF ,16 88 КП769В IRF , КП769В91 IRF , КТ-90 КП770Б IRF , КП770Г IRF , КП770Е IRF ,5 1,5 74 КП770И IRF ,5 2,5 74 КП770А IRF , АДБК АДБК АДБК АДБК /Д1 АДБК АДБК АДБК АДБК АДБК АДБК АДБК АДБК АДБК АДБК Импульсный ток стока КТ-89 КТ-90

33 2 ТРАНЗИСТОРЫ 2.8 Полевые n-канальные транзисторы (T К = 25 o C) (приёмка «ОТК») Тип Аналог U СИmax, I Сmax, R СИотк, P max, В А Ом Вт КП770В IRF , АДБК. КП770Д IRF ,5 1, КП770Ж IRF ,5 2,5 74 КП782А ,2 43 КП782В IRFZ ,1 60 КП782Д IRZ ,05 88 КП782Б ,2 43 КП782Г IRFZ ,1 60 КП782Е IRZ ,05 88 КП770Л , КП770Н ,0 125 КП770К , АДБК КП770М ,0 125 АДБК. КП790А IRFP , КТ-43В КП813Б АДБК КП813А , КП793Б , КП793А IRFP , АДБК КП794А IRFP ,3 190 КТ-43В АДБК АДБК КП809А ,3 50 КП795А ,4 190 АДБК. КП809Б , КП813Б , АДБК КП813А , КТ-9С КП809А ,3 100 АДБК КП809Б , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (T К = 25 o C) (приёмка «ОТК») Тип Аналог U КЭmax, I К, А P max, В T К = 25 o C T К = 100 o C Вт КЕ705А IRGB14C40L 370 КЕ705Б 330 КЕ705В HGTP14N40F3VL КЕ705Г 330 АДБК КТ-43В КТ-9С

34 2 ТРАНЗИСТОРЫ 2.10 ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы (приёмка «ОТК») Транзисторы для подвижных средств радиосвязи Тип Аналог ƒ, Мгц P ВЫХ, Вт U КЭ, В К УР, раз η, % КТ ,0 55 аа КТ920А 2 7,0 КТ920Б 2N ,0 КТ аа N6081 КТ920В 20 3,0 2N5590 КТ958А BM ,6 4,0 50 КТ-32 аа КТ925А 2 6,3 КТ925Б ,0 КТ-17 аа КТ925В 2N ,0 КТ960А ,5 КТ-32 аа ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы (приёмка «ОТК») Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи Тип Аналог ƒ, Мгц P ВЫХ, Вт U КЭ, В К УР, раз η, % КТ922А 2N ,0 КТ922Б 2N ,5 55 КТ-17 аа КТ922В 2N ,0 КТ931А 2N ,0 50 КТ-32 аа КТ971А 150 3,0 55 КТ-56 аа КТ907А 2N ,0 65 КТ-4 ЩБ КТ934А 2N ,0 КТ934Б 2N ,0 50 КТ-17 аа КТ934В 2N ,0 КТ930А 2N ,0 КТ-32 аа КТ930Б 2N ,5 50 КТ970А 100 4,0 КТ-56 аа КТ985АС ,5 КТ-45 аа КТ909А 2N КТ909Б 35 1,7 45 КТ-15 ЩБ КТ9105АС ,0 50 КТ-45 аа КТ-17 КТ-32 КТ-56 КТ-4 КТ-45 КТ-15

35 2 ТРАНЗИСТОРЫ 2.10 ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы (приёмка «ОТК») Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи Тип Аналог ƒ, Мгц P ВЫХ, Вт U КЭ, В К УР, раз η, % КТ9104А 5 8,0 40 КТ-42 аа КТ9104Б 20 7, КТ991АС 55 6,0 50 аа КТ-44 КТ9101АС 100 3,5 аа КТ911А 0,8 2, КТ-18 ЩБ КТ911Б 0,8 2,0 30 КТ962А DM ,0 36 КТ962Б DM ,5 40 аа КТ-17 КТ962В DM ,0 40 КТ976А ,0 45 аа Импульсные транзисторы для навигационной и телеметрической аппаратуры Тип Аналог ƒ, Мгц P ВЫХ, Вт U ПИТ, В К УР, раз КТ984А MSC1075M 75 5, КТ984Б MSC1250M 250 4,0 Импульс τ, мкс Q η, % КТ-42 аа Линейные транзисторы для УКВ ЧМ и телевизионного вещания Импульс ƒ, P Тип Аналог ВЫХ, К УР, М З, U Мгц Вт раз дб ПИТ, I С, В А КТ983А BLX-96 0,5 4,0 0,2 КТ983Б ,5 3, ,35 КТ983В 3,5 3,2 0,8 КТ-17 аа КТ-42 КТ-44 КТ-18 КТ-17

36 ТО-244 Мод.1 2 ТРАНЗИСТОРЫ 2.11 Силовые модули (приёмка «ОТК») Силовые модули на полевых транзисторах (T К = 25 o C) Тип Аналог U СИmax, В I Сmax, А I Kmax, А R СИотк., Ом P max, Вт R Тn-k, o C/Вт МТКП , , ,25 МТКП ,6 IRFK4H , ,31 60 МТКП , , ,25 МТКП IRFK4H , , МТКП , ,25 ВЛЕИ МТКП IRFK4H , , МТКП , ,25 МТКП IRFK4H , , МТКП , ,25 ВЛЕИ БЕСКОРПУСНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ 2.12 Полевые n-канальные транзисторы Параметры при T ОКР.СР. = 25 o C U Тип СИ, R СИотк, В Ом 2П790Б ,03 2П769Е ,039 2П769Д ,052 2П790А ,055 2П769В ,077 2П769А ,27 2П769Г ,27 2П793А ,085 2П767Е ,18 2П767А ,8 2П768К ,55 2П768А ,8 2П707Б ,0 2П707В ,0 2П782Ж ,028 2П767Ж ,12 2П767В ,18 2П794В ,2 2П794А ,3 2П768П ,42 2П795А ,4 2П770П ,55 2П795Б ,6 2П770К ,85 1 U ПОР. = (1,5 2,7) В; для остальных U ПОР. = (1,5 6,0) В; 2 2,0 U ЗИпор 4,0В АЕЯР АЕЯР

37 АЕЯР АЕЯР АЕЯР ДИОДЫ 3.1 Диоды Шоттки (T К = 25 o C) Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) I Тип Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма А В В T К = 25 o C T К = 125 o C Диоды Шоттки в металлокерамических корпусах 2ДШ2123В94 10BQ ,34 0, КТ-93 2ДШ2123А94 IN , ДШ2123А95 1N ,45 1,0 10,0 КТ ДШ2123Б94 IN , КТ-93 2ДШ2123Г94 10BQ ,53 0, ДШ2123Г95 10BQ ,53 1,0 10,0 2ДШ2123Д94 10BQ ,78 0,5 12,5 2ДШ2123Д95 10BQ ,78 1,0 12,5 КТ-99-1 КТ-93 КТ-99-1 Диоды Шоттки (сборки общий катод) в металлопластмассовых корпусах 2Д290АС 25 0,65 0,5 7,5 2Д290АС9 КТ-89 2Д290БС 50 0,75 0,1 4,5 2Д290БС9 КТ-89 2Д290ВС 75 0,85 6,5 2Д290ВС9 КТ-89 2Д290ГС 4(22) 100 0,9 4,5 2Д290ГС9 КТ-89 0,5 2Д290ДС 150 0,95 5,5 2Д290ДС9 КТ-89 2Д290ЕС 200 1,0 6,0 2Д290ЕС9 КТ АЕЯР АЕЯР TУ АЕЯР T К = 100 o C 5 Радиационно-стойкие КТ-93 КТ-99-1 КТ-28А-2.02 КТ-94 КТ-89

38 АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР ДИОДЫ 3.1 Диоды Шоттки (T К = 25 o C) Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) Тип 2ДШ2124А94 I Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма А В В T К = 25 o C T К = 125 o C Диоды Шоттки в металлокерамических корпусах 31DQ , КТ-93 2ДШ2124Б94 31DQ , ,3 2ДШ2124В94 31DQ , ДШ2124Г94 31DQ , КТ-93 КТ-93 КТ-93 2ДШ2125А92 50SQ ДШ2125Б92 50SQ ,66 0,55 7 КТ-94 2ДШ2125В92 8TQ ,72 0,55 7 КТ-94 2Д272Е , КТ-32А 3 2Д272И , КТ-32А Диоды Шоттки (сборки общий катод) в металлопластмассовых корпусах 2Д269АС 25 0,65 5,5 2Д269АС91 КТ-90 2Д269БС 50 0,75 7,5 2Д269БС91 КТ-90 2Д269ВС 75 0,85 2Д269ВС91 10(25) КТ-90 0,5 10,0 2Д269ГС 100 0,9 2Д269ГС91 КТ-90 2Д269ДС 150 0,95 8,0 2Д269ДС91 КТ-90 2Д269ЕС 200 1,0 10,0 2Д269ЕС91 КТ-90 Диоды Шоттки (сборки общий катод) в металлокерамических корпусах КТ-94 2ДШ2126БС92 MBR20200CT 20(210) 200 0, ДШ2125ГС92 30CPQ060 30(215) 60 0,6 0,8 45 КТ АЕЯР ; - АЕЯР ; 3 TУ АЕЯР ; 4 T К = 100 o C; 5 Радиационно-стойкие КТ-89 КТ-93 КТ-94 КТ-90

39 АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР ДИОДЫ 3.1 Диоды Шоттки (T К = 25 o C) Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) I Тип Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма А В В T К = 25 o C T К = 125 o C Диоды Шоттки (сборки общий катод) в металлокерамических корпусах 2ДШ2125ДС92 30CPQ100 30(215) 100 0,86 0,55 7 КТ ДШ202АС 5 15CGQ100 30(2x15) 100 0,86 0,55 7,00 КТ-28А ДШ202АС9 5 15CLQ100 30(2x15) 100 0,86 0,55 7,00 КТ-94 2ДШ2126АС92 30CPQ150 30(215) ,1 15 КТ ДШ202БС 5 12CGQ150 30(215) 150 1,00 0,10 15,00 КТ-28А ДШ202БС9 5 12CLQ150 30(215) 150 1,00 0,10 15,00 КТ-94 2ДШ201АС9 5 35CGQ (2x17,5) 150 0,93 0,1 16 КТ-94 Диоды Шоттки (сборки общий катод) в металлопластмассовых корпусах 2Д273АС 25 0,7 0,5 8,0 2Д273АС91 КТ-90 2Д273БС 50 0,8 0,1 10,0 2Д273БС91 КТ-90 2Д273ВС 75 0,9 0,5 6,5 2Д273ВС91 КТ-90 40(220) 2Д273ГС 100 0,95 0,1 10,0 2Д273ГС91 КТ-90 2Д273ДС 150 1,05 0,5 8,0 2Д273ДС91 КТ-90 2Д273ЕС 200 1,15 0,5 6,0 2Д273ЕС91 КТ АЕЯР ; - АЕЯР ; 3 TУ АЕЯР ; 4 T К = 100 o C 5 Радиационно-стойкие КТ-94 КТ-32А КТ-28А-2.02 КТ-90

40 АЕЯР АЕЯР ДИОДЫ 3.1 Диоды Шоттки (T К = 25 o C) Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) Тип Аналог I ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма А В В T К = 25 o C T К = 125 o C Диоды Шоттки (сборки общий катод) в металлокерамических корпусах 2Д273АС2 25 0,7 2Д273БС2 50 0,8 1,0 10,0 2Д273ВС2 40(220) 75 0,9 КТ-28А Д273ГС ,95 2Д273ДС ,05 1,5 15,0 2Д273ЕС ,15 2,0 20,0 2ДШ2134АС4 63CPQ100 60(230) 100 0,87 0,3 25 КТ-43А АЕЯР ; 5 Радиационно-стойкие 2 - АЕЯР ; 3 TУ АЕЯР ; 4 T К = 100 o C; 3.2 Быстровосстанавливающиеся диоды (T К = 25 o C) Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) I Тип Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма t ВОС.обр, А В В T К =25 o C T К =125 o C нс Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки общий катод) в металлопластмассовых корпусах 2Д663АС9 2(21) 1,5 0,1 1,0 КТ-89 2Д640ВС 600 HFA16TA60C 16(28) 2Д640ВС91 КТ-90 2Д641АС HFA30TA60C 400 2Д641АС91 60 КТ-90 1,7 0,5 8,0 2Д641БС 30(215) 500 2Д641БС91 КТ-90 2Д641ВС 600 2Д641ВС91 КТ-90 КТ-90 КТ-28А-2.02 КТ-43А-1.01 КТ-89

41 АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР АЕЯР ДИОДЫ 3.2 Быстровосстанавливающиеся диоды (T К = 25 o C) Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) I Тип Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма t ВОС.обр, А В В T К =25 o C T К =125 o C нс Быстровосстанавливающиеся диоды в металлопластмассовых корпусах 2ДВ101А 80EBU ,13 0,05 2,00 35 КТ-115 Быстровосстанавливающиеся диоды в металлокерамических корпусах 2Д675А94 10BF ,4 0,01 0, КТ-93 2Д663А ,5 0, КТ Д676А94 30BF ,4 0,01 0, КТ-93 2Д677А92 APT15D40K ,5 0,15 3,0 50 КТ-94 2Д641В ,7 0,1 3,0 60 КТ-32А 2Д677Б92 APT15D60K ,8 0,15 3,0 50 КТ-94 Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки общий катод) в металлокерамических корпусах 2Д640ВС2 16(28) 600 1,7 0,5 8,0 60 КТ-28А Д678АС93 MURG (230) , ,0 2Д678БС93 30EPF06 60(230) 600 1,41 0, T К = 100 o C КТ-95 КТ-115 КТ-93 КТ-99-1 КТ-28А-2.02 КТ-94 КТ-32А

42 АДБК АЕЯР Iпр. ср.max, А 3 ДИОДЫ 3.3 Однофазные мосты на основе мощных высоковольтных выпрямительных диодов Тип Аналог U ОБР.max, В 2M142A DB104S 400 2M143A DB105S 600 2M144A PKR40F 400 2M145A PKR60F T К = 25 o C - АЕЯР I ПР.max, А U ПР. 1, В I ОБР., ма R θпер-кор, T К = 25 o C T К = 125 o C Вт t ВОС.обр, нс 1 1,0 0,05 0,1 18 КТ ,2 0,1 1,5 3,5 КТ Силовые модули Силовые модули на диодах Шоттки Тип Аналог U обр. max, В U пр., В I обр., ма T К = 25 o C T К = 125 o C R θпер-кор, Вт 2МДШ146А 129NQ , ,35 КД-44 2МДШ146Б 249NQ , ,30 КД Диоды Шоттки (сборки общий катод; T К = 25 o C) (приёмка «ОТК») Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) I Тип Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма А В В T К = 25 o C T К = 100 o C КД289А КД289АС КД289Б КД289БС КД289В КД289ВС КД289Г КД289ГС КД289Д КД289ДС КД289Е КД289ЕС КД290ЕС 2(21) 25 0, , , ,9 1, ,95 1, ,0 20 КТ КТ КД-44

43 АДБК АДБК АДБК ДИОДЫ 3.5 Диоды Шоттки (сборки общий катод; T К = 25 o C) (приёмка «ОТК») Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) I Тип Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма А В В T К = 25 o C T К = 100 o C КД290А КД290АС КД290Б КД290БС КД290В КД290ВС КД290Г КД290ГС КД290Д КД290ДС КД290Е КД290ЕС КД268А КД268АС КД268Б КД268БС КД268В КД268ВС КД268Г КД268ГС КД268Д КД268ДС КД268Е КД268ЕС КД269А КД269АС КД269АС91 КД269Б КД269БС КД269БС91 КД269В КД269ВС КД269ВС91 КД269Г КД269ГС КД269ГС91 КД269Д КД269ДС КД269Д91 4(22) 6(23) 10(25) 25 0, , , ,9 1, ,95 1, , , , , ,9 1, ,95 1, , , , , ,9 1, СТQ ,95 1,5 15 КТ-90 КТ-90 КТ-90 КТ-90 КТ-90 КТ-90

44 АДБК АДБК АДБК АДБК АДБК АДБК ДИОДЫ 3.5 Диоды Шоттки (сборки общий катод; T К = 25 o C) (приёмка «ОТК») Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) I Тип Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма А В В T К = 25 o C T К = 100 o C КД269Е КД269ЕС КД269ЕС91 10(25) ,0 20 КТ-90 КД270А КД270АС 25 КД238АС/ЭВ КД238БС/ЭВ 35 0,65 КД238ВС/ЭВ 45 1,0 10 КД270Б MBR1515CT 50 0,75 КД270БC КД270В 15(27,5) 8TQ КД270ВC КД270Г КД270ГС 8TQ ,9 1,0 10 КД270Д КД270ДС 150 0,95 1,5 15 КД270Е КД270ЕС ,0 20 КД271А КД271АС 25 0,65 КД271Б КД271БС MBR2045CT 50 0,75 КД271В КД271ВС MBR2080CT 75 0,85 1,0 10 КД271Г 20(210) MBR20100CT КД271ГС 0,9 100 КД271Д КД271ДC 20CTQ ,95 1,5 15 КД271E КД271EC MBR20200CT ,0 20 КД271EC91 КД272А КД272АС 25 0,7 КД272Б КД272БС 30СТQ045 30(215) 50 0,8 1,0 10 КД272В КД272ВС 30СТQ ,9 АДБК КТ-90 КТ-90

45 АДБК АДБК АДБК АДБК ДИОДЫ 3.5 Диоды Шоттки (сборки общий катод; T К = 25 o C) (приёмка «ОТК») Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) I Тип Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма А В В T К = 25 o C T К = 100 o C КД272Г 30СТQ ,95 1,0 10 КД272ГС КД272Д 150 1,05 1,5 15 КД272ДС КД272Е КД272ЕС 30(215) 200 1,15 КД272ЕС91 КТ-90 КД272Ж 2, КД272ЖС 1,2 КД272И 300 КД272ИС КД273А КД273АС 25 0,7 КД273АС91 40(220) КТ-90 КД273Б КД273БC 40СТQ ,8 КД273БC91 1,0 10 КТ-90 КД273В КД273ВС 75 0,9 КД273ВС91 КТ-90 КД273Г КД273ГС 43СТQ ,95 КД273ГС91 40(220) КТ-90 КД273Д КД273ДС 43СТQ ,05 1,5 15 КД273ДС91 КТ-90 КД273Е КД273ЕС 200 1,15 2,0 20 КД273ЕС91 КТ Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки общий катод; T К = 25 o C) (приёмка «ОТК») I Тип Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма t ВОС.обр, А В В T К = 25 o C T К = 125 o C нс КД640А 400 КД640АС КД640Б 16(28) 500 1,7 0,5 8,0 60 КД640БС КД640В HFA08TB КД640ВC HFA16TA60C КТ-90

46 АДБК АДБК АДБК ДИОДЫ 3.6 Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки общий катод; T К = 25 o C) (приёмка «ОТК») I Тип Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма t ВОС.обр, А В В T К = 25 o C T К = 125 o C нс КД640Г 700 КД640ГС КД640Д 800 1,7 8,0 КД640ДС КД640Е 550 КД640ЕС КД640Ж 16(28) 0, КД640ЖС КД640И ,0 КД640ИС КД640К HFA08TB КД640КС КД640ВС ,7 8,0 КТ-90 КД641А 400 КД641АС КД641Б 500 КД641БС КД641В HFA15TB КД641ВС HFA30TA60C КД641Г 1,7 30(215) 700 КД641ГС КД641Д 0,5 8, КД641ДС КД641Е 550 КД641ЕС КД641Ж 400 1,3 КД641ЖС КД641АС КД641БС91 30(215) 500 1,7 КТ-90 КД641ВС КД644А 200 1,05 50 КД644АС КТ-43В КД644Б 300 1,2 КД644БС 50(225) КТ-43В 0,5 10,0 60 КД644В 400 1,3 КД644ВС КТ-43В КД644Г 500 1,7 75 КД644ГС КТ-43В КТ-90 КТ-43В

47 АДКБ АДБК ДИОДЫ 3.6 Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки общий катод; T К = 25 o C) (приёмка «ОТК») Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) I Тип Аналог ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма t ВОС.обр. А В В T К = 25 o C T К = 125 o C нс КД644Д КД644ДС КД644Е КД644ЕС КД644Ж КД644ЖС 550 HFA25TB60 50(225) ,7 0, КТ-43В КТ-43В КТ-43В 3.7 Диодные сборки с общим катодом (T К = 25 o C) Тип Аналог I ПР.СР.max, U ОБР.max, U ПР., I ОБР., ма А В В T К = 25 o C T К = 125 o C КДШ144АС9 40 0,52 0,080 35,0 1 КДШ144БС9 60 0,62 0,080 35,0 1 КДШ144ВС9 VS-6WQ10FN-M3 6(2x3) 100 0,84 КДШ144ГС ,88 0,005 5,0 КДШ144ДС ,90 КДШ145АС КДШ145АС91 VS-15CTQ040-N3 40 0,57 0,15 70,0 1 КДШ145БС КДШ145БС ,65 0,15 85,0 1 КДШ145ВС VS-16CTQ100G- КДШ145ВС91 N3 16(2x8) 100 0,79 0,005 6,0 КДШ145ГС КДШ145ГС ,85 0,005 5,0 КДШ145ДС КДШ145ДС ,87 0,005 5,0 КДШ146АС КДШ146АС91 VS-25CTQ040-N3 40 0,54 0, ,0 1 КДШ146БС КДШ146БС91 VS-30CTQ060-N3 60 0,67 0, ,0 1 КДШ146ВС КДШ146ВС91 VS-30CTQ100-N3 30(2x15) 100 0,79 0,005 6,0 КДШ146ГС КДШ146ГС ,84 0,005 5,0 КДШ146ДС КДШ146ДС ,85 0,005 5,0 КДШ147АС 40 0,57 0, ,0 1 КДШ147БС 60 0,70 0, ,0 1 КДШ147ВС VS-63CPQ100-N3 60(2x30) 100 0,85 0,020 15,0 КДШ147ГС 150 0,85 0,005 6,0 КДШ147ДС 200 0,87 0,005 6,0 1 T К = 100 o C; КТ-89 КТ-90 КТ-90 КТ-43В КТ-43В КТ-89

48 КД-44 ТО-244 Мод.3 Неизолированное основание ТО-244 Мод.2 Изолированное основание 3 ДИОДЫ 3.8 Силовые модули (приёмка «ОТК») Силовые модули на диодах Шоттки (T К = 25 o C) Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) Тип Аналог U ОБР.max, В I ПР.СР.max, А U ПР., В I ОБР., ма R θпер-кор, T К = 25 o C T К = 100 o C Вт МД ,5 50 0,75 0,4 МД , ,8 0,45 МД CMQ (2100) 0.9 3,0 40 МД ,5 209CMQ ,4 МД ,15 0,25 МД (2120) 1,2 0,45 0,15 3 МД (2180) 1,1 0,35 МПД ,5 50 0,75 МПД , ,8 4,0 40 0,25 МПД CNQ ,9 240(2120) МПД ,5 209CNQ МПД ,15 0,5 МПД ,2 3, МПД (275) 1,3 0,7 МПД , ,0 40 МПД , ,75 5,0 50 0,4 МПД , ,0 60 0,3 МПД , ,0 40 МПД , ,8 5,0 50 0,4 МПД , ,0 60 0,3 МПД NQ ,0 40 МПД ,9 5,0 50 0,4 МПД NQ ,0 60 0,3 МПД ,5 129NQ ,0 40 0,4 МПД ,5 189NQ ,0 50 0,4 МПД , ,0 60 0,3 МПД ,4 3,0 40 МПД ,15 0,35 МПД ,0 60 0,3 МПД ,3 1,1 0,15 10 МПД ,25 ТО-244 Мод.2 Изолированное основание ТО-244 Мод.3 Неизолированное основание КД-44

49 КД-44 ТО-244 Мод.3 Неизолированное основание ТО-244 Мод.2 Изолированное основание 3 ДИОДЫ Силовые модули на диодах Шоттки (T К = 25 o C) Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) Тип U ОБР.max, I ПР.СР.max, U ПР., I ОБР., ма R θпер-кор, В А В T К = 25 o C T К = 100 o C Вт МПД УХЛЗ ,0 0,35 МПД ,5-1 УХЛЗ ,75 0,3 МПД УХЛЗ 240 1,0 3,0 40 0,27 МПД УХЛЗ (2x120) 1,0 0,5 МД УХЛЗ 120 1,0 0,5 ВЛЕИ КТ КТ Силовые модули (приёмка «ОТК») Силовые модули на быстровосстанавливающихся диодах (T К = 25 o C) Значения параметров приведены для диода или элемента сборки (в скобках для сборки) U Тип Аналог ОБР.max, I ПР.СР.max, U ПР., I ОБР., t ВОС.обр., R θпер-кор, В А В ма нс Вт МДЧ А6 HFA120MD40C 120(260) 0,5 0,5 МДЧ А6 HFA160MD40C (280) 1,3 0,75 0,45 МДЧ А6 HFA200MD40C 200(2100) 1,0 0,4 МДЧ А6 1 HFA100MD60C 100(250) 1,5 0,5 0,9 МДЧ А6 HFA140MD60C (270) 1,4 0,75 0,45 МДЧ А6 1 HFA180MD60C 180(290) 1,3 0,5 0,8 МПДЧ А ,3 0,45 200(2100) 0,5 100 МПДЧ А ,5 0,5 МПДЧ А6 75 0,5 0,6 МПДЧ А6 HFA90NH ,3 0,75 0,35 МПДЧ А ,5 0,5 МПДЧ А6 HFA70NH ,5 0,6 МПДЧ А ,5 0,75 0,35 МПДЧ А6 HFA105NH ,5 0,5 МПДЧ А ,7 0,75 0,35 МПДЧ P ,6 1, ,6 1 TУ ВЛЕ ТО-244 Мод.2 Изолированное основание ТО-244 Мод.3 Неизолированное основание КД-44 КТ КТ-112-1

50 АЕЯР АЕЯР ДИОДЫ БЕСКОРПУСНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ 3.9 Диоды Шоттки Тип U ПР., В U ОБР.max, В I ОБР., ма 2Д269А-5 0,5 29 2Д269Б-5 0, Д269В-5 0,6 83 2Д269Г-5 0, Д269Д-5 0, Д269Е-5 0, Д290А-5 0, ,09 2Д290Б-5 0, Д290В-5 0, Д290Г-5 0, Д290Д-5 0, Д290Е-5 0, Д272И1-5 0, ,15 2Д273А2-5 0, Д273Б2-5 0,5 55 0,8 2Д272В2-5 0, ДШ2123А-5 0, ДШ2123Б-5 0, ,35 2ДШ2123В-5 0, ДШ2123Г-5 0, ,3 2ДШ2123Д-5 0, ,07 2ДШ2124А ,45 2ДШ2124Б ,3 2ДШ2124В-5 0, ДШ2124Г-5 0, ,07 2ДШ2125А ДШ2125Б-5 0,52 0, ДШ2125В-5 2ДШ2125Г-5 0, ,3 2ДШ2125Д-5 0, ,15 2ДШ2126А-5 0, ДШ2126Б-5 0, ,07 2ДШ2134А-5 0, ,1 2ДШ201АН5 0, ,1 2ДШ202АН5 0, ,55 2ДШ202БН5 1, ,10 АЕЯР АЕЯР АЕЯР

51 4 СИЛОВЫЕ МОДУЛИ (ПРИЁМКА «ОТК») 4.1 Модуль силовой полупроводниковый М УХЛ3 в металлокерамическом корпусе МК К с изолированным основанием предназначен для управления дискретными сигналами Схема электрическая принципиальная Поставка по ВЛЕИ МК К Основные электрические параметры Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) 1 Начальный ток, мка (U=100В, U ЗИ =0В) 2 Напряжение на транзисторе и диоде, В (U ЗИ = 10В, I= 1А) 3 Пороговое напряжение, В (U зс = 0 В, I с = 250 мка) 4 Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом (U ЗИ = 10 В, I С = 1 А, и мкс) (U ЗИ = 3 В, IС = 20 ма) 5 Начальный ток, мка (U=100В, U ЗИ =0В) 6 Напряжение пробоя ограничителя напряжения, В (I огр.имп. = -40А, и (0,5) 1 мс) 7 Напряжение пробоя ограничителя напряжения, В (I проб 1-2 = 10 ма, и 0,5 мс) Норма Температура Условное Буквенное параметра окружающей обозначение обозначение не не среды проверяемого параметра менее более (корпуса), С элемента модуля I нач VT1 и VD5, VT2 и VD6 VT3 и VD7, VT4 и VD8 U 1, VT1 и VD5, VT2 и VD6 VT3 и VD7, VT4 и VD8 U пор. 1,5 5, VT1 и VD5, VT2 и VD6, VT3 и VD7, VT4 и VD8 R СИ.отк (I проб 1-2 = 0,5 А, и 1 мс) 15,0 20,0 0, VT5, VT6, VT7, VT8 2, I нач VT5, VT6 VT7, VT8 U проб VD9, VD10, VD11, VD12 U проб. 13,4 17, VD1, VD2, VD3, VD4

52 5 АВТОМОБИЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА (ПРИЁМКА «ОТК») 5.1 Контроллер бесконтактной системы зажигания с датчиком на эффекте Холла U Тип (13-1)S, I IL5, t SS, T J, мв мка c о С К1055ХП1АР Е (-250) 0,4 1, К1055ХП1АТ С АДБК / Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона (n-p-n) Параметры при T = 25 o C P Тип Аналог Kmax, U КЭОгр., I Сmax, U h КЭнас., I KЭО, ƒ ГР., Вт В А 21Э В ma МГц КТ8232А1 BU >300 1,8 0,1 10 КТ-43В КТ8232Б АДБК Е С КТ-43В

53 6 ИЗДЕЛИЯ, ПОСТАВЛЯЕМЫЕ ПО ГК п/п Обозначение изделий Описание ГК 1 К5576ХС1Т2 ПЛИС 5576ХС1 PQFP-240 ДФЛК ГК 2 К5576ХС4Т1 ПЛИС 5576ХС4 PQFP-256 ДФЛК ГК 3 Ограничитель напряжения 25В, 60А, КР1204А9 1мс МК АДЛК ГК 4 Ограничитель напряжения 100В, КР243А 680А, 0,15мс КТ АДЛК ГК 5 М Верхний чоппер 100В, 100А, 10мОм МП ВЛЕИ ГК 5 М Нижний чоппер 100В, 100А, 10мОм МП ВЛЕИ ГК 6 Трехфазный мост на n- и p- М канальных MOSFET транзисторах МК К Опытные 100В, 30А, 40 мом 7 Однофазный мост на n- канальных М MOSFET транзисторах 100В, 60А, 20мОм МК К Опытные 8 Трехфазный мост на диодах Шоттки М М В, 360А УХЛЗ Опытные 9 Три диода Шоттки с общим катодом МД В, 3х30А Изолированное основание КТ Опытные 10 Модуль на диодах Шоттки 40В, 240А, МПД ,67В КД-44 Опытные 11 Модуль на МПДЧ быстровосстанавливающихся диодах 400В, 320А, 100нс КД-44 Опытные 12 Диод КДВ-1 быстровосстанавливающийся 400В, 80А, 35нс КТ-115 Опытные

54 1347АП1Р 1347АП1У 1347АП2Р 1347АП2У 1347АП3Р 1347АП3У 7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯ 7.1 Сдвоенный драйвер управления затвором мощных МОП ПТ и БТИЗ нижнего плеча в металлокерамических корпусах Тип Аналог Параметр Обозн. Значение Режим парам. min max измерения Входное напряжение высокого уровня, В U ВХ 2,7 - Входное напряжение низкого уровня, В U ВХ - 0,8 Выходное напряжение U ВЫХ 13,8 - I ВЫХ. = 1 ма высокого уровня, В Выходное напряжение низкого U ВЫХ - 0,1 I ВЫХ. = -1 ма уровня, В IR4426 (1347АП3Р 1347АП3У) IR4427 (1347АП1Р 1347АП1У) IR4428 (1347АП2Р 1347АП2У) Ток потребления, мка Ток короткого замыкания (на землю), А Ток короткого замыкания (на питание), А Время задержки распространения при включении, нс Время задержки распространения при выключении, нс Время перехода при включении, нс Время перехода при выключении, нс Электрические параметры при U П = 15 В, T К. = 25 о С U ПОТ U ВХ. = 0В I КЗ 1,5 - U ВЫХ. = 0В I КЗ -1,5 - U ВЫХ. = 15В t ЗД.Р t ЗД.Р t - 35 t - 25 С Н. = 1нФ (1347АП1Р 1347АП2Р 1347АП3Р) МК (1347АП1У 1347АП2У 1347АП3У) МК

55 7 ИЗДЕЛИЯ В СТАДИИ РАЗРАБОТКИ И/ИЛИ ОСВОЕНИЯ Тип Кварта 1: Кварта 2: Кварта 3: Кварта 4: 3005ЕТ НН ЕУ НХ014А А А Назначение Управляемый напряжением двухполярный источник тока Преобразователь напряжения на датчике тока Микросхема управления импульсным источником питания Преобразователь входных дискретных сигналов (аналоговый мультиплексор) Достоинства Основные параметры 1) Рад-стойкое исполнение 2) Малогабаритный корпус 3) Высокая точность преобразования; 1) Напряжения питания: Uп1= -(7 18)В, Uп2= +(7 18)В, 2) Диапазон выходного тока Iвых = ( ) ма, 3) Характеристика преобразования: Iвых = (5±0.1) Uвх/Rос. 1) Рад-стойкое исполнение 2) Малогабаритный корпус 1) Входное напряжение Uвх = +(8 100)В, 2) Рабочий диапазон падения напряжения на датчике тока Uд= (0 0,5)В, 3) Допустимый диапазон падения напряжения на датчике тока Uд= (0 1)В, 4) Выходное напряжение: Uвых = (Uд 10)±0,25В, 5) Выходное сопротивление Rвых=5 ком, 6) Скорость нарастания напряжения на выходе не менее 1В/мкс. 7) Вывод сигнала перегрузки по току. 1) Рад-стойкое исполнение; 2) Непосредственное управление переключающим МОП-транзистором; 3) Защита от КЗ и перегрузки; 4) Встроенный стабилизатор напряжения; 5) Широкий диапазон входных напряжений. 1) Входное напряжение схемы формирования служебного питания: Uп=(8,15 66)В, 2) Напряжение служебного источника питания: U сл = 7,39 и 10,05 В или до 15В при использовании внешнего делителя. 3) Входное синфазное напряжение компаратора: (-0,2 5)В (выводы U вх1, U вх2 ); 4) Выходное напряжение компаратора: U вых2 = (0,2 0,4)В, 5) Для режима: U сл U БЛ =7,5В; выходное напряжение драйвера U вых2 =(0,2 0,4)В; 6) Напряжение смещения компаратора 7) Не более ±3 мв ; 8) Входные токи компаратора не более ±1650 на ; 9) Максимальная частота переключения компаратора не менее 0,5Мгц; 10) Напряжение срабатывания/отпускания блокировки выхода по превышению тока потребления драйвера Uп 0,345 В, Uп 0,460В 11) Напряжение срабатывания компаратора датчика тока ДМОП транзистора 0,5В (справочный параметр). 1) Рад-стойкое исполнение 2) Диодная защита входов 3) Высокое коммутируемое напряжение 1) Напряжение питания: Uп = +3.3 В ±10 %, 2) Уровни входных цифровых сигналов управления А3 А0, E0-L уровни КМОП элементов с напряжением питания 3.3В, 3) Максимальное напряжение низкого уровня выходного сигнала DO-L (открытый коллектор) не более 0.4В при токе не более 10 ма, максимальное напряжение высокого уровня 7В, 4) Значения пороговых напряжений включения и выключения компаратора на входе Uc: +1,4В ±5 % и +1,1 В ±5 % соответственно при выходном сопротивлении источника сигнала (0 1)кОм, 5) Максимальное рабочее входное напряжение DSI1 DSI16 66В, 6) Минимальное рабочее входное напряжение DSI1 DSI16 7В, 7) Минимальный рабочий входной ток DSI 1 DSI 16 во включённом состоянии 3 ма, 8) Максимальный рабочий входной ток DSI1 DSI16: 110 ма длительно, 220 ма в течение времени не более 100 мс, 330 ма в течение времени не более 1 мс.

56 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА КТ (микросхемы 1334ЕИ) (микросхемы 1334ЕН) КТ-93

57 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ КТ-94 МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА КТ-94 КТ-94 КТ-95

58 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ КТ-28А-2.02 МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА КТ-28А-2.02 КТ-28А-2.02 (микросхемы) КТ-43А-1.01

59 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА КТ-43А-1.01 КТ-43А-1.01 КТ КТ-109А-1К

60 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА КТ КТ КТ КТ-112-2

61 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА МК К КТ-32А КТ-15 КТ-42

62 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА КТ-44 КТ-32 КТ-45 КТ-56

63 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА КТ-56 КТ-18 КТ-17 КТ-4-2 МК

64 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА МК

65 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА

66 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА Н В

67 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА Н В

68 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА (с формованными выводами)

69 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА (с формованными выводами) МЕТАЛЛОСТЕКЛЯННЫЕ КОРПУСА КТЮ-3-9 КТЮ-3-20

70 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОСТЕКЛЯННЫЕ КОРПУСА КТЮ-3-1 КТЮ-3-6 КТ-9C

71 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОПЛАСТМАССОВЫЕ КОРПУСА КТ-89 КТ-89 КТ-90 КТ-90

72 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОПЛАСТМАССОВЫЕ КОРПУСА А С Е PQFP-240

73 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОПЛАСТМАССОВЫЕ КОРПУСА PQFP-256

74 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОПЛАСТМАССОВЫЕ КОРПУСА КТ-43В КТ-43В КТ-43В КТ-43В

75 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОПЛАСТМАССОВЫЕ КОРПУСА КТ-115 МП КД-44 ТО-244 Мод.2 (изолированный)

76 8 ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ МЕТАЛЛОПЛАСТМАССОВЫЕ КОРПУСА ТО-244 Мод.3 (неизолированный) ТО-244 Мод.1 М УХЛЗ

77 9 УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ 9.1 Перечень аналогов корпусов Тип корпуса Аналог ТО-244 Мод.1 Металлопластмассовый TO-244 ТО-244 Мод.2, изолированный Металлопластмассовый TO-244AB (Isolated) ТО-244 Мод.3, неизолированный Металлопластмассовый TO-244AB Металлокерамический CQFP Металлокерамический CQFP Металлокерамический Sot-89 Металлопластмассовый TO-220AC Металлопластмассовый TO-220AB КТ-28А-2.02 Металлокерамический TO-257AA КТ-4 Металлокерамический TO-60 КТ-15 Металлокерамический MD-36 КТ-17 Металлокерамический MT-72h КТ-18 Металлокерамический MT-62 КТ-32 Металлокерамический X-123 КТ-9С Металлостеклянный TO-204AA КТ-42 Металлокерамический MRA-4 КТ-43А-1.01 Металлокерамический TO-254AA КТ-43В Металлопластмассовый TO-218 КТ-45 Металлокерамический TRB-BAL КТ-56 Металлокерамический TRB-67 КТ-89 Металлопластмассовый DPak КТ-90 Металлопластмассовый D2Pak КТ-93 Металлокерамический SMD-0,5 КТ-94 Металлокерамический SMD-1 КТ-95 Металлокерамический SMD-2 КТ-99-1 Металлокерамический Sot А Металлопластмассовый SO-8 МК Металлокерамический DLCC 4/8 МК Металлокерамический DLCC 8/8 КТ-115 Металлопластмассовый PowIRtab Металлокерамический Dip-8 КД-44 Металлопластмассовый D-67

78 10 КАРТОЧКА ПРЕДПРИЯТИЯ Полное название: Акционерное Общество "Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов Сборка" Сокращенное название: АО "ВЗПП С" Юридический адрес: , Россия, г. Воронеж, Ленинский проспект, 119а Фактический адрес: , Россия, г. Воронеж, Ленинский проспект, 119а Отдел сбыта, тел.: (473) Отдел маркетинга, тел./факс (473) Расчетный счет: Наименование банка: Филиал ПАО Банк ВТБ г. Воронеж Корреспондентский счет: БИК: ИНН: КПП: ОКПО:

МИНИСТЕРСТВО ОБОРОНЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Приложение к Перечню электрорадиоизделий, разрешенных к применению при разработке (модернизации), производстве и эксплуатации аппаратуры, приборов, устройств и

Биполярные транзисторы с приемкой «5» Наимен. Максимально допустимые параметры V КЭ огр V КБО проб I К max I К И max Р К мах Основные электрические параметры h 21Э U КЭ max t рас t сп B B А А Вт ед. B

Кремниевые эпитаксиально-планарные выпрямительные диоды 2Д103А1/СО 2Д103А1/СО ОСМ АЕЯР.432120.174 ТУ АЕЯР.432120.174 ТУ П0.070.052 Масса диода: 1,5 г. Наименование параметра, единица измерения, (режим

Таблица 1 ИЗМЕНЕНИЕ 1 от 09.11.2018 г. к Перечню ЭКБ 012018 Изделия СВЧ 1. Включить в Раздел 1 Перечня вновь разработанные, приведенные в таблице 1. 4 Модули СВЧ 4.1 Модули СВЧ генераторные 4.1.3 Генераторы

КП773А Полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором,

КП55А КП55Г АДБК.43214.691 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением N-канала транзисторы КП55А, КП55Б, КП55В, КП55Г в пластмассовом корпусе КТ-26, предназначены

Справочник по операционным усилителям и компараторам Он включает в себя: краткую характеристику операционных усилителей условные обозначения в таблице параметров операционных усилителей таблицу параметров

DC/DC модули электропитания Унифицированные герметизированные стабилизирующие модули питания с гальванической развязкой между входом и выходом с электрически нейтральным корпусом. Все модули питания работают

СОДЕРЖАНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ. 3 Введение. 6 1. ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ. 41 1.1. Полупроводниковые диоды. И 1.1.1. Краткое описание полупроводниковых материалов. 11 1.1.2. Устройство и основные

427 ОГЛАВЛЕНИЕ Введение. 3 Перечень сокращений и условных обозначений. 5 ТЕМА 1 ОСНОВЫ ТЕОРИИ ИНФОРМАЦИИ И ПЕРЕДАЧИ СИГНАЛОВ. 6 1.1 Формы представления детерминированных сигналов. 8 1.2 Спектральный

Стандартная логика Содержание Введение 3 1. Серия КМОП интегральных схем 5514БЦ1(Т1-Т7, У1-У2) хххх, реализованная на быстродействующем базовом матричном кристалле, стойким к воздействию СВВФ 4 2. Серия

Спецификация программируемой аналоговой микросхемы «КомПАС-1» (5400ТР035) Версия 1.1 Стр. 1 Оглавление Общее описание. 3 Прецизионный усилительный блок PAU. 5 Усилительный блок CAU. 8 Программируемый

ПРЕДИСЛОВИЕ. 3 Введение. 6 1. ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ. 11 1.1. Полупроводниковые диоды. 11 1.1.1. Краткое описание полупроводниковых материал о к. 11 1.1.2. Устройство и основные физические

Стандартная логика Содержание Введение 3 1. Серия КМОП интегральных схем 5514БЦ1(Т1-Т4, У1-У2) хххх, реализованная на быстродействующем базовом матричном кристалле, стойком к воздействию СВВФ 4 2. Серия

КП773А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором,

2ДШ142Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные диод 2ДШ142А9 и сборка диодная 2ДШ142АС9 (состоит из двух соединенных последовательно диодов)

Программируемые реле Представленные в этом разделе приборы позволяют автоматизировать технологические процессы на основе релейной логики. ОВЕН ПР это свободно программируемое устройство, которое не содержит

ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ. 3 Глава 1 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. 5 1.1. Электрический заряд и электрическое поле. 5 1.2. Электрический потенциал, напряжение, электрический ток. б 1.3. Взаимодействие

НОВЕЙШИЕ РАЗРАБОТКИ ООО "КРИП ТЕХНО" 2019 г. N-P-N транзисторы 2Т528А9 Д9 в малогабаритном корпусе КТ-47 Для работы в усилителях, в качестве переключателя в бесконтактных коммутирующих устройствах, для

Содержание Предисловие. 8 Сокращения терминов, аббревиатуры. 10 Введение. 13 Тема 1. Полупроводниковые приборы. 17 1.1. Электронно-дырочный переход. 17 1.2. Диоды и их свойства. 19 1.3. Разновидности

Отладочная плата версия 2.0 Руководство пользователя Плата является одноплатным контроллером, построенным на базе микросхемы ATmega324PB. Микроконтроллер ATmega324PB имеет максимальный набор интерфейсов

ПРОГРАММИРУЕМАЯ АНАЛОГОВАЯ МИКРОСХЕМА КомПАС-1 (5400ТР035) ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ В.В.Эннс, к.т.н. 1, Ю.М.Кобзев, к.т.н. 2, И.В.Корепанов 3 УДК 621.3.049.774 ВАК 05.27.00 Программируемая

Расчёт схем на операционных усилителях Операционный усилитель (ОУ) многокаскадный усилитель постоянного тока (УПТ) с дифференциальным входом, обладающий большим коэффициентом усиления, высоким входным

НОЫЕ РАЗРАБОТКИ общего назначения Аналог Полярность т Uкб КТ541А BF422 NPN 0,625 2 2 5,0 > 0,5 КТ542А BF423 PNP 0,625 2 2 5,0 > 0,5 KT814А9 KT814Б9 KT8149 KT814Г9 BD136 BD138 BD140 PNP 10 40 70 5,0 10

ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТО «ОРОНЕЖСКИЙ ЗАОД ПОЛУПРООДНИКОЫХ ПРИБОРО СБОРКА» СЕРИЙНООСОЕННЫЕ НОЫЕ ИЗДЕЛИЯ МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СЕРИИ 4 Микросхемы интегральные серии 4 с фиксированным выходным напряжением

2П923А, 2П923Б, 2П923В, 2П923Г, КП923А, КП923Б, КП923В, КП923Г Транзисторы полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом /7-типа генераторные. Предназначены для применения

Спецификация программируемой аналоговой микросхемы «КомПАС-1» () Версия 1.0 Стр. 1 Оглавление Общее описание. 3 Прецизионный усилительный блок PAU. 5 Усилительный блок CAU. 8 Программируемый блок

ПРОМЫШЛЕННО-КОММЕРЧЕСКАЯ КОМПАНИЯ МИЛАНДР Техническое описание демонстрационно-отладочной платы для микроконтроллера 1886ВЕ2 и приемопередатчика интерфейса RS-232 5559ИН4. 1. Назначение и состав. Демонстрационно-отладочная

Обозначение Функциональное назначение А АА АГ АП АР АФ Б БМ БП БР В ВА ВБ ВВ ВГ ВЕ ВЖ ВИ ВК ВМ ВН ВП ВР ВС ВТ ВУ ВФ ВХ Формирователи Формирователь адресных токов Формирователь импульсов прямоугольной формы

ПРОГРАММИРОВАНИЕ УЧЕБНОЙ НАГЛЯДНОЙ МОДЕЛИ СЛОЖЕНИЯ ДВОИЧНЫХ ЧИСЕЛ А.А. Иванов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) Арифметическо-логические

Внедрение в образовательные программы подготовки бакалавров и магистров технологий National Instruments; Разработка лабораторных практикумов и учебных курсов на базе технологий National Instruments; Повышение

Отладочная плата Руководство пользователя Плата является одноплатным контроллером, построенным на базе микросхемы. Плата может использоваться как учебная, для ознакомления с работой AVRмикроконтроллеров,

К572ПВЗ, КН572ПВЗ, КР572ПВЗ Микросхемы представляют собой 8-разрядный АЦП последовательного приближения, сопрягаемый с микропроцессором. Связь с микропроцессорами осуществляется в режиме записи и преобразования

Содержание Микросхемы памяти 2 Микросхемы для источников питания 4 Микросхемы драйверов 11 Микросхемы интерфейсные 13 Микросхемы операционных усилителей 19 Микросхемы для контроля температуры 22 Микросхемы

Перспективы развития направления разработки микросхем космического применения в АО «ПКК Миландр» Санкт-Петербург 2016 В ПРОИЗВОДСТВЕ Микроконтроллеры 1986ВЕ8Т 32-битный микроконтроллер на базе ARM Cortex-M4F

Серия - 133 Комутаторы и ключи прочие 133КП2 SN54153 Сдвоенный селектор мультиплексор 4-1 И63.088.023ТУ12/02 402.16-32 133КП5 SN54152 Мультиплексор восемь каналов на один без стробирования И63.088.023ТУ31/02

НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК НТЦ СИТ КОНТРОЛЛЕР С ФАЗОВОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ДЛЯ ИМПУЛЬСНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ К56ЕУ4 это микросхема контроллера

«ЛОГИКА-М» Учебно-лабораторный стенд Техническое описание и инструкция по эксплуатации Содержание стр. 1. Назначение. 2 2. Технические характеристики. 2 3. Конструкция стенда. 3 4. Лабораторная работа

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем. 7.1. Диодно-транзисторная логика Транзисторный каскад, работающий в ключевом режиме, можно рассматривать, как элемент с двумя состояниями, или логический

Пятнадцатая научная конференция «Шаг в будущее, Москва» Разработка лабораторного комплекта для исследования функционала модулей встраиваемых систем Автор: Руководитель: Силаев Владимир Михайлович, ГОУ

КП81А КП81Б КП81В КП81Г аа. 336. 64 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные N-канальные полевые транзисторы КП81А, КП81Б, КП81В, КП81Г в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в выходных

ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ 1554ИЕ6ТБМ Четырехразрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик CT10 15 D1 Q0 03 01 D1 Q1 02 10 D2 Q2 06 09 D3 Q3 07 11 ED C0 13 04-1 B0 12 05 +1 14 R GND Vcc 08 16 Условное графическое

Отладочная плата Spartan-6 [TQ144] DS-XC6SLXx-TQ144 Evolution-1.1 Jan., 2011 Описание продукта Серия отладочных плат XB-XC6SLXx-TQ144 Evolution представляет собой печатную плату размером 120х80х15 мм с

И.В. Семейкин, С.В. Грищенко, В.А. Кожевников, П.Л. Куршев ФГУП "Научно-исследовательский институт электронной техники" Миниатюрный многокристальный внутрисогласованный усилитель мощности В статье рассматриваются

Стабилизатор напряжения регулируемый отрицательной полярности Микросхема предназначена для применения в источниках питания радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Микросхемы изготавливаются

Преобразователь постоянного напряжения понижающий Т, Т1 Микросхема Т понижающий преобразователь напряжения с фиксированным выходным напряжением 5.0 В и током нагрузки до 1.0А. Микросхема предназначена

ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ Четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик 15 01 10 09 11 04 05 14 D0 D1 D2 D3 ED -1 +1 R CT2 Q0 Q1 Q2 Q3 03 02 06 07 C0 13 B0 12 GND Vcc 08 16 Условное графическое обозначение Назначение

2Т909А, 2Т909Б, КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах

«Мощные радиочастотные транзисторы и усилительные модули на их основе» Докладчик: Грищенко Сергей Викторович Воронеж 2018 Радиочастотное направление АО «НИИЭТ» Мощные ВЧ и СВЧ транзисторы Усилительные

Микросхема КР1016ВИ1 (аналог MN1435) предназначена для применения в часах с устройством вывода на 8-сегментный код индикации. Обеспечивает режим работы: - счет времени от 00 часов 00 минут до 23 часов

587ИК2, К587ИК2, КР587ИК2 Микросхемы К587ИК2 и КР587ИК2 автономный управляемый микропрограммно асинхронный 4-разрядный модуль обработки цифровой информации. Корпус КР587ИК2 2204.42-1, 587ИК2 (К587ИК2)

T9А/ВЭ Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор Описание Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ транзистор Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-- Золотая металлизация Основное назначение

КП748 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены

1 Используемые кристаллы Указанные ниже кристаллы полупроводниковых компонентов являются базовыми для построения силовых модулей производства О «Электрум», однако приведённый перечень не охватывает всей

Отладочная плата ГеоС-3 Техническое описание. Версия 2.0 ООО КБ «ГеоСтар навигация» Москва, 2012 Оглавление 1. Перечень принятых сокращений. 4 2. Техническое описание. 5 2.1. Назначение. 5 2.2. Общий

Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 393ЕУ04 Основные особенности Радиационная стойкость; Диапазон входных напряжений 9 20 В; Ток потребления в

Оглавление Основные сокращения 3 Предисловие 9 Раздел 1. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА 14 Глава!. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ ПОСТОЯННОГО ТОКА. 14 1.1. Основные понятия, элементы и законы цепей 14 1.1.1. Пассивные элементы

Watchdog таймер HYDRA-FTDI Руководство по эксплуатации. MO04 ОГЛАВЛЕНИЕ Watchdog таймер HYDRA-FTDI ОПИСАНИЕ ИЗДЕЛИЯ. 3 ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ. 3 ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗДЕЛИЯ. 3 КОМПЛЕКТНОСТЬ. 4 РАБОТА

Электронная компания Элкус (http://www.elcu.ru) TА1-PE2 ГФКП.468351.047 Модуль сопряжения PCI Expre - ГОСТ P 52070-2003 (MIL-STD-1553) Модуль сопряжения реализован в виде стандартной PCI Expre платы с

ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс» ЗАО «Протон-Импульс» Типы серийно выпускаемых твердотельных реле Реле переменного тока: с контролем перехода

НТЦ СИТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК МИКРОСХЕМА ЭЛЕКТРОННОГО КОДОВОГО КЛЮЧА ОСОБЕННОСТИ Используется только 2 вывода 268 435 456 комбинаций кода Передача

Демонстрационно-отладочная плата Eval17. Техническое описание. 1. Общие положения. Демонстрационно-отладочная плата Eval17 (далее Eval17) предназначена для демонстрации функционирования микроконтроллеров

1. ОРГАНИЗАЦИОННО-МЕТОДИЧЕСКИЙ РАЗДЕЛ 1.1. Цели и задачи дисциплины «ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ» - дисциплина, которая предназначена для подготовки студентов к деятельности, связанной

Программируемый логический контроллер MК202 Программируемый логический контроллер МК202 (ПЛК МК202) представитель семейства ПЛК с количеством входов/выходов до 2048. ПЛК МК202 является универсальным техническим

1 1.Основные параметры полупроводниковых диодов: напряжение, ток, мощность. 2.Цифровые сигнальные процессоры, применение..(ок 2,ОК4,ОК5,ОК6,ПК 1.1-1.3,ПК2.3, ПК 3.1, ПК3.2). 3. Х1 Ֆ Y Написать таблицу

Широкополосный усилительный модуль в диапазоне 2-4 ГГц с выходной мощностью 35 Вт Зимин Р.А., Кищинский А.А., Суханов Д.А. АО «Микроволновые системы» г. Москва, 105120, Российская Федерация, ул. Нижняя

Оглавление Введение. 3 Глава 1. Электрические цепи постоянного тока. 5 1.1. Основные определения. 5 1.2. Источник э.д.с. и источник тока. 6 1.3. Разветвленные и неразветвленные электрические цепи. 9

КП82А КП82Б аа. 336. 82 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные N-канальные полевые транзисторы КП82А, КП82Б в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в схемах преобразователей постоянного

Демонстрационно-отладочная плата MC_DEMO Оборудование - Микроконтроллер KMx32_MC_v2 в корпусе CQFP-160L, 12 KB RAM, 384 KB Flash; - Встроенный преобразователь интерфейсов USB-JTAG; - Наличие контроллера

Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 1393ЕУ014 Основные особенности Диапазон входных напряжений 9 20 В; Ток потребления в режиме ожидания 250 мка;

ЕУ/А ОСОБЕННОСТИ w Двухтактный выход с паузой между импульсами w Вход переключения частоты w Kомпактный корпус w Минимальное количество навесных элементов w Малая потребляемая мощность w Возможность применения

Счетчик импульсов «СИ-2» Руководство по эксплуатации 2015 г. 1 1. Назначение 3 2. Технические характеристики 3 3. Устройство и работа 4 4. Последовательный интерфейс 5 5. Подключение СИ-2 к УСК (v.1) через

_DS_ru.qxd.0.0 :9 Page ЕУ/А ОСОБЕННОСТИ Двухтактный выход с паузой между импульсами Вход переключения частоты Kомпактный корпус Минимальное количество навесных элементов Малая потребляемая мощность Возможность

1 Статус освоения в серийном производстве изделий категории качества «ВП» и «ОСМ» на 30.03.2018 Тип, функциональное назначение, (функциональный аналог) 1669РА035 СОЗУ информационной емкостью 4Мбит (512К

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛГОГРАДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ФАКУЛЬТЕТ ПОДГОТОВКИ ПЕРЕПОДГОТОВКИ ИНЖЕНЕРНЫХ КАДРОВ КАФЕДРА АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ ПРОЦЕССОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 1. Передаточная функция. Переходная характеристика. Отклик дифференцирующей цепи на воздействие прямоугольного импульса. Влияние постоянной времени на длительность

2ДШ2121АС/ИМ кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки Назначение Диодная сборка двух кремниевых эпитаксиально планарных кристаллов диодов с барьером Шоттки с общим катодом. Предназначена

ОБЗОР ДОКУМЕНТА В документе приведено описание отладочной платы HW1-MCp04 и органов управления. Даны ее характеристики и компоненты. Описан процесс установки ПО и драйверов. www.multiclet.com HW1-MCp04

ИС - цифровая логика Формальная логика - операции с величинами, принимающими только два значения - "да" и "нет" ("правда" и "ложь", "1" и "0"). Определены три основные операции : 1) "И" (конъюнкция) y

1 Статус освоения в серийном производстве изделий и «ОСМ» на 05.04.2017 Тип, функциональное назначение, (функциональный аналог) 1669РА035 СБИС СОЗУ информационной емкостью 4Мбит (512К 8 бит) (ACT S512K8,

СЧЕТЧИК ИМПУЛЬСОВ СИ-2 Руководство по эксплуатации 2017 г. Содержание 1. Назначение 3 2. Технические характеристики 3 3. Устройство и работа 4 4. Последовательный интерфейс 5 5. Подключение СИ-2 к УСК

Внутрисистемно программируемый 8 разрядный RISC микроконтроллер с ПЗУ типа Flash Корпус 5133.48-3 Предназначен для применения во встроенных системах управления и обработки информации Тактовая частота 8

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК НТЦ СИТ СБОРКИ ДИОДНЫЕ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ КД636 представляют собой кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки

П303А, П303Б, П303В, П303Г, П303Д, П303Е, П303И, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КП303Г, КП303д, КПЗОЗЕ, кпзозж, кпзози Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе р-/? перехода

Микросхемы 5576ХС4Т Код ОКП 6331360005 ЭТИКЕТКА ГПКФ.431262.003-01ЭТ Микросхема интегральная 5576ХС4Т Функциональное назначение: программируемая логическая интегральная схема с возможностью многократного

Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 1393ЕУ014 ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ Радиационная стойкость; Диапазон входных напряжений 8,5 36В; Ток потребления

Электронная компания Элкус (http://www.elcus.ru) T1-PE4 ГФКП.468351.072 ТУ Модуль сопряжения PCI Express - ГОСТ P 52070-2003 (MIL-STD-1553) Модуль сопряжения реализован в виде стандартной PCI Express платы

12-разрядный Цифро-Аналоговый Преобразователь 5400ТР045А-002 Назначение, краткое описание Микросхема выполнена в 28-выводном металлокерамическом корпусе МК 5123.28-1 и представляет собой 2-ух канальный

Измерители-регуляторы технологические ИРТ 5922,, ИРТ 5922Д Внесены в Государственный реестр средств измерений РФ 20390-06ТУ 4220-040-13282997-02 1-канальные микропроцессорные измерителирегуляторы Многопозиционное

Радиационно стойкие микросхемы, ПЛИС производства АО «ПКК Миландр». Трубихов Дмитрий Григорьевич Начальник отдела маркетинга АО «ПКК Миландр» Казань, 11 августа 2016 г. В производстве 1986ВЕ8Т 1886ВЕ8У

2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г, 2Т831В-1, 2Т831Г-1 Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры л-р-л усилительные. Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях.

Микросхемы памяти Волков Тимур Равилевич Инженер отдела разработки ИС памяти Центра Проектирования ЗАО «ПКК «Миландр» Москва, МВЦ «Крокус Экспо», 11 апреля 2013 «ЭкспоЭлектроника» Микросхемы памяти Микросхемы

Средства для программирования интегральных микросхем, разработанные ЗАО «ПКК Миландр» Средства для программирования интегральных микросхем, разработанные ЗАО «ПКК Миландр» 1. Средства для программирования

ФОНД ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОМЕЖУТОЧНОЙ АТТЕСТАЦИИ ОБУЧАЮЩИХСЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ (МОДУЛЮ). Общие сведения 1. Кафедра физики, биологии и инженерных технологий 2. Направление подготовки 16.03.01

ЧОУ ДПО «Центр инновационного развития человеческого потенциала и управления знаниями» Лицензия на образовательную деятельность: 59Л01 0000396 от 12.04.2013 года р/н 2724 614002 г. Пермь, ул. Чернышевского,

Электронная компания Элкус (http://www.elcus.ru) TА1-MPE2 ГФКП.468351.081 ТУ Модуль сопряжения PCI Express Mini Card - ГОСТ P 52070-2003 (MIL-STD-1553) Модуль сопряжения реализован в виде платы PCI Express

Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ БЛОК СХЕМА 393ЕУ04 Радиационная стойкость; Диапазон входных напряжений 8,5 36 В; Ток

Негосударственное аккредитованное некоммерческое частное образовательное учреждение высшего образования «АКАДЕМИЯ МАРКЕТИНГА И СОЦИАЛЬНО-ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ИМСИТ» (г. Краснодар) Кафедра математики